XC4VSX55-10FF1148I プログラマブル IC チップ プラットフォーム フラッシュ インシステム プログラマブル コンフィギュレーション PROMS
programming ic chips
,programmable audio chip
プラットフォーム フラッシュ インシステム プログラマブル コンフィギュレーション PROMS
特徴
• ザイリンクス FPGA のコンフィギュレーション用のインシステム プログラマブル PROM
• 低消費電力の高度な CMOS NOR FLASH プロセス
• 20,000 回のプログラム/消去サイクルの耐久性
• 全工業用温度範囲 (-40°C ~ +85°C) で動作
• プログラミング、プロトタイピング、テストのための IEEE 標準 1149.1/1532 バウンダリ スキャン (JTAG) のサポート
• 標準 FPGA コンフィギュレーションの JTAG コマンド開始
• より長いビットストリームまたは複数のビットストリームを保存するためのカスケード可能
• 専用バウンダリ スキャン (JTAG) I/O 電源 (VCCJ)
• 1.5V~3.3Vの範囲の電圧レベルと互換性のあるI/Oピン
• Xilinx Alliance ISEおよびFoundation ISEシリーズ ソフトウェア パッケージを使用した設計サポート
・XCF01S/XCF02S/XCF04S
* 3.3V電源電圧
* シリアル FPGA コンフィギュレーション インターフェイス (最大 33 MHz)
* 省スペースの VO20 および VOG20 パッケージで利用可能。
・XCF08P/XCF16P/XCF32P
* 1.8V電源電圧
* シリアルまたはパラレル FPGA 構成インターフェイス (最大 33 MHz)
* 省スペースの VO48、VOG48、FS48、および FSG48 パッケージで利用可能
* 設計リビジョン テクノロジにより、構成用に複数の設計リビジョンを保存およびアクセスできます。
* ザイリンクスの高度な圧縮テクノロジーと互換性のある内蔵データ解凍機能
説明
ザイリンクスは、インシステム プログラマブル コンフィギュレーション PROM の Platform Flash シリーズを発表しました。1 ~ 32 メガビット (Mbit) の密度で利用可能なこれらの PROM は、大規模なザイリンクス FPGA コンフィギュレーション ビットストリームを格納するための、使いやすく、コスト効率が高く、再プログラム可能な方法を提供します。プラットフォーム フラッシュ PROM シリーズには、3.3V XCFxxS PROM と 1.8V XCFxxP PROM の両方が含まれています。XCFxxS バージョンには、マスター シリアル FPGA コンフィギュレーション モードとスレーブ シリアル FPGA コンフィギュレーション モードをサポートする 4 M ビット、2 M ビット、および 1 M ビット PROM が含まれています (図 1)。XCFxxP バージョンには、マスター シリアル、スレーブ シリアル、マスター SelectMAP、およびスレーブ SelectMAP FPGA コンフィギュレーション モードをサポートする 32 M ビット、16 M ビット、および 8 M ビット PROM が含まれています (図 2)。
図 1: XCFxxS プラットフォーム フラッシュ PROM のブロック図
図 2: XCFxxP プラットフォーム フラッシュ PROM のブロック図
絶対最大定格
シンボル | 説明 | XCF01S、XCF02S、XCF04S | XCF08P、XCF16P、XCF32P | 単位 | |
VCCINT | GNDを基準とした内部電源電圧 | –0.5~+4.0 | –0.5 ~ +2.7 | V | |
VCCO | GNDを基準としたI/O電源電圧 | –0.5~+4.0 | –0.5~+4.0 | V | |
VCCJ | GNDを基準としたJTAG I/O電源電圧 | –0.5~+4.0 | –0.5~+4.0 | V | |
Vの | GNDに対する入力電圧 | VCCO< 2.5V | –0.5~+3.6 | –0.5~+3.6 | V |
VCCO≧2.5V | –0.5~+5.5 | –0.5~+3.6 | V | ||
VTS | High-Z出力に印加される電圧 | VCCO< 2.5V | –0.5~+3.6 | –0.5~+3.6 | V |
VCCO≧2.5V | –0.5~+5.5 | –0.5~+3.6 | V | ||
TSTG | 保管温度(周囲温度) | –65 ~ +150 | –65 ~ +150 | ℃ | |
TJ | 接合部温度 | +125 | +125 | ℃ |
ノート:
- GND を下回る最大 DC アンダーシュートは、0.5V または 10mA のいずれか達成しやすい方に制限する必要があります。遷移中、デバイスのピンは –2.0V までアンダーシュートするか、+7.0V までオーバーシュートする可能性があります。ただし、このオーバーシュートまたはアンダーシュートが 10ns 未満継続し、強制電流が 200mA に制限されている場合に限ります。
- 絶対最大定格に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらはストレス定格のみであり、これらの条件または動作条件に記載されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響が生じます。
- はんだ付けのガイドラインについては、www.xilinx.com の「パッケージングと熱特性」に関する情報を参照してください。
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非1つの要素8ビットを逆にする74HCT245D集積回路の破片のトランシーバー |
Transceiver, Non-Inverting 1 Element 8 Bit per Element 3-State Output 20-SOIC
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MT8870 DTMFのデコーダー モジュール、電話電話をかける制御可聴周波デコーダー モジュール |
IC TELECOM INTERFACE 18SOIC
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DAC, Audio 24 b 192k SPI 10-TSSOP
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P80C32X2BA 80C51 プログラム可能なICチップ,8ビットマイクロコントローラファミリー 共通のデジタルIC回路 |
P80C32 - 80C51 8-BIT MICROCONTRO
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784Mbps Deserializer 5 Input 35 Output 64-TQFP (10x10)
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USB Bridge, USB to UART USB 2.0 UART Interface 64-LQFP (10x10)
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