M93S46-WMN6TP ブロック保護付き MICROWIRE シリアル アクセス EEPROM
electronics ic chip
,integrated circuit ic
M93S46-WMN6TP ブロック保護付き MICROWIRE シリアル アクセス EEPROM
機能の概要
業界標準のMICROWIREバス
単一電源電圧: – 4.5 ～ 5.5V (M93Sx6 の場合) – 2.5 ～ 5.5V (M93Sx6-W の場合) – 1.8 ～ 5.5V (M93Sx6-R の場合) 単一構成: ワード (x16) ごと
動作するプログラミング命令: Word またはメモリ全体
自動消去によるセルフタイムプログラミングサイクル
ユーザー定義の書き込み保護領域
ページ書き込みモード（4ワード）
プログラミング中のレディ/ビジー信号
スピード：
– 1MHz クロックレート、10ms 書き込み時間 (現行製品、プロセス識別文字 F または M で識別) – 2MHz クロックレート、5ms 書き込み時間 (新製品、プロセス識別文字 W または G で識別) シーケンシャル読み取り動作
ESD/ラッチアップ動作の強化
100万回以上の消去/書き込みサイクル
40 年以上のデータ保持
概要説明
この仕様は、4K、2K、1K ビットのシリアル電気的消去可能プログラマブル メモリ (EEPROM) 製品 (それぞれ M93S66、M93S56、M93S46) を対象としています。本文では、これらの製品を総称して M93Sx6 と呼びます。
M93Sx6 は、MICROWIRE バス プロトコルを使用してシリアル入力 (D) および出力 (Q) を通じてアクセスされます。メモリは 256、128、64 x16 ビット ワード (それぞれ M93S66、M93S56、M93S46) に分割されます。M93Sx6 は、読み取り、書き込み、ページ書き込み、すべて書き込み、およびメモリ保護の設定に使用される命令を含む一連の命令によってアクセスされます。これらを表 2 および表 3 にまとめます)。メモリからのデータ読み取り (READ) 命令は、読み取られる最初のワードのアドレスを内部アドレス ポインタにロードします。このアドレスに含まれるデータはシリアルにクロックアウトされます。アドレス ポインタはデータ出力後に自動的にインクリメントされ、チップ セレクト入力 (S) が High に保持されている場合、M93Sx6 はデータ ワードの連続ストリームを出力できます。このようにして、メモリは 16 ～ 4096 ビット (M93S66 の場合) のデータ ストリームとして読み出すことも、最高アドレスに到達するとアドレス カウンタが自動的に 00h にロールオーバーするので連続的に読み出すこともできます。プログラミング サイクル (tW) に必要な時間内に、ページ書き込み命令を使用して最大 4 ワードを書き込むことができます。Write All 命令を使用して、メモリ全体を消去したり、所定のパターンに設定したりすることもできます。メモリ内のユーザー定義領域は、さらなる書き込み命令から保護される場合があります。この領域のサイズは、メモリ アレイの外側にある保護レジスタの内容によって定義されます。最後の保護ステップとして、保護レジスタの内容をロックするワンタイム プログラミング ビット (OTP ビット) をプログラムすることで、データを永続的に保護できます。プログラミングは内部でセルフタイミングで行われ (シリアル クロック (C) の外部クロック信号は、書き込みサイクルの開始後に停止または実行されたままにすることができます)、書き込み命令の前に消去サイクルを必要としません。Write 命令は一度に 16 ビットを M93Sx6 のワード位置の 1 つに書き込み、Page Write 命令は 16 ビットの最大 4 ワードを連続した位置に書き込みます。どちらの場合も、すべてのアドレスが書き込み保護領域の外側にあると仮定します。プログラミング サイクルの開始後、チップ セレクト入力 (S) が High に駆動されると、シリアル データ出力 (Q) でビジー/レディ信号が利用可能になります。
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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