PIC18F2320-I/SP 集積回路チップ強化フラッシュ マイクロコントローラ

PIC18F2220/2320/4220/4320

28/40/44 ピン高性能、強化されたフラッシュ マイクロコントローラー

10ビットA/Dとナノワットテクノロジーを搭載

低電力機能:

• 電源管理モード:

- 実行: CPU がオン、周辺機器がオン

- アイドル: CPU オフ、周辺機器オン

- スリープ: CPU オフ、周辺機器オフ

• 消費電力モード:

- PRI_RUN: 150μA、1MHz、2V

- PRI_IDLE: 37μA、1MHz、2V

- SEC_RUN: 14μA、32kHz、2V

- SEC_IDLE: 5.8μA、32kHz、2V

- RC_RUN: 110μA、1MHz、2V

- RC_IDLE: 52μA、1MHz、2V

- スリープ: 0.1μA、1MHz、2V

• Timer1 発振器: 1.1 µA、32 kHz、2V

• ウォッチドッグ タイマー: 2.1 µA

• 2 速度発振器の起動

オシレーター:

• 4 つのクリスタル モード:

- LP、XT、HS: 最大 25 MHz

- HSPLL: 4 ～ 10 MHz (16 ～ 40 MHz 内部)

• 2 つの外部 RC モード、最大 4 MHz

• 2 つの外部クロック モード、最大 40 MHz

• 内部発振器ブロック:

- 8 つのユーザー選択可能な周波数: 31 kHz、125 kHz、250 kHz、500 kHz、1 MHz、2 MHz、4 MHz、8 MHz

- 125 kHz ～ 8 MHz 1% に校正

- 2 つのモードで 1 つまたは 2 つの I/O ピンを選択

- OSCTUNE – ユーザーが周波数をシフトできるようにします

• Timer1 @ 32 kHz を使用するセカンダリ発振器

• フェールセーフクロックモニター

- 周辺クロックが停止した場合に安全にシャットダウン可能

周辺機器のハイライト:

• 高電流シンク/ソース 25 mA/25 mA

• 3 つの外部割り込み

• 最大 2 つのキャプチャ/比較/PWM (CCP) モジュール:

- キャプチャは最大 16 ビットです。分解能は 6.25 ns (TCY/16)

- 比較は最大 16 ビットです。分解能は 100 ns (TCY)

- PWM 出力: PWM 分解能は 1 ～ 10 ビットです

• 強化されたキャプチャ/比較/PWM (ECCP) モジュール:

- 1、2、または 4 つの PWM 出力

- 選択可能な極性

- プログラム可能なデッドタイム

- 自動シャットダウンと自動再起動

• 互換性のある 10 ビット、最大 13 チャンネルのアナログ - デジタル コンバーター モジュール (A/D)

プログラム可能な取得時間付き

• デュアルアナログコンパレータ

• アドレス指定可能な USART モジュール:

- 内部発振器ブロックを使用した RS-232 動作 (外部水晶振動子は不要)

特別なマイクロコントローラーの機能:

• 100,000 消去/書き込みサイクル エンハンスド フラッシュ プログラム メモリ (標準)

• 1,000,000 消去/書き込みサイクル データ EEPROM メモリの標準値

• フラッシュ/データ EEPROM の保持期間: > 40 年

• ソフトウェア制御下で自己プログラム可能

• 割り込みの優先レベル

• 8 x 8 シングルサイクル ハードウェア乗算器

• 拡張ウォッチドッグ タイマー (WDT):

- 41msから131sまでのプログラム可能な周期

- VDD および温度に対する 2% の安定性

• 2 つのピンを介した単一電源 5V In-Circuit Serial Programming™ (ICSP™)

• 2 つのピンを介したインサーキット デバッグ (ICD)

• 広い動作電圧範囲: 2.0V ～ 5.5V

絶対最大定格 （†）

バイアス下の周囲温度................................................................................ ...................................-55°C ～ +125°C

保管温度 ................................................................... ................................................................ -65℃～ +150°C V に対する任意のピンの電圧_SS(Vを除く)_DD、MCLR および RA4) ........................ -0.3V ～ (V_DD+0.3V）

Vの電圧_DDVに関しては_SS................................................................... ................................... -0.3V ～ +7.5V

Vに対するMCLRの電圧_SS(注2) .................................................... .......0V～+13.25V

Vに対するRA4の電圧_SS................................................................... ...................................0V～+8.5V

総許容損失(注1) ................................................................... ................................................................... ..1.0W

V からの最大電流_SSピン................................................................ ...................................................300mA

Vに流れる最大電流_DDピン................................................................ ...................................................250mA

入力クランプ電流、I_IK(V_私< 0 または V_私> V_DD)................................................................ ...................................±20mA

出力クランプ電流、I_OK(V_○< 0 または V_○> V_DD)................................................................ ...................................±20mA

任意の I/O ピンによってシンクされる最大出力電流................................................................................ ................................................25mA

任意の I/O ピンから供給される最大出力電流 ................................................... ...................................25mA

全ポートが消費する最大電流 .................................................... ...................................................200mA

すべてのポートから供給される最大電流 .................................................... ................................................200mA

ノート

1: 消費電力は次のように計算されます。

Pdis = VDD x {IDD - ∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL)

2: MCLR/VPP ピンで VSS を下回る電圧スパイクが発生し、80 mA を超える電流が誘導され、ラッチアップが発生する可能性があります。したがって、MCLR/VPP ピンに「ロー」レベルを印加する場合は、このピンを直接 VSS にプルするのではなく、50 ～ 100Ω の直列抵抗を使用する必要があります。

† 注意: 「絶対最大定格」に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これはストレス定格のみであり、この仕様の動作リストに示されている条件またはその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。最大定格条件に長期間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。

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