CY7C1372D-167AXI 集積回路チップ 18 M ビット パイプライン SRAM
electronics ic chip
,integrated circuit components
CY7C1370D
CY7C1372D
NoBL™ アーキテクチャーを備えた 18M ビット (512K x 36/1M x 18) パイプライン SRAM
特徴
• ピン互換性があり、機能的には ZBT™ と同等
• 待機状態なしで 250 MHz のバス動作をサポート
— 利用可能なスピード グレードは 250、225、200、および 167 MHz です。
• 内部セルフタイミング出力バッファ制御により、非同期 OE を使用する必要がなくなります。
• パイプライン操作用に完全に登録済み (入力および出力)
• バイト書き込み機能
• 3.3V 単一電源
• 3.3V/2.5VI/O 電源
• クロックから出力までの時間が速い
— 2.6 ns (250 MHz デバイスの場合)
— 2.8 ns (225 MHz デバイスの場合)
— 3.0 ns (200 MHz デバイスの場合)
— 3.4 ns (167 MHz デバイスの場合)
• 動作を一時停止するためのクロック イネーブル (CEN) ピン
• 同期セルフタイミング書き込み
• 鉛フリーの 100 TQFP、119 BGA、および 165 fBGA パッケージで入手可能
• IEEE 1149.1 JTAG バウンダリ スキャン
• バースト機能 - リニアまたはインターリーブのバースト順序
• 「ZZ」スリープ モード オプションとストップ クロック オプション
機能の説明
CY7C1370D および CY7C1372D は、それぞれ No Bus Latency™ (NoBL™) ロジックを備えた 3.3V、512K x 36 および 1 Mbit x 18 の同期パイプライン バースト SRAM です。これらは、待機状態のない、無制限の真の連続読み取り/書き込み操作をサポートするように設計されています。CY7C1370D および CY7C1372D には、クロック サイクルごとにデータが転送される連続読み取り/書き込み操作を可能にするために必要な高度な (NoBL) ロジックが装備されています。この機能により、頻繁な書き込み/読み取り遷移が必要なシステムにおけるデータのスループットが大幅に向上します。CY7C1370D および CY7C1372D はピン互換性があり、ZBT デバイスと機能的に同等です。
すべての同期入力は、クロックの立ち上がりエッジによって制御される入力レジスタを通過します。すべてのデータ出力は、クロックの立ち上がりエッジによって制御される出力レジスタを通過します。クロック入力はクロック イネーブル (CEN) 信号によって制限され、アサートが解除されると動作が一時停止され、前のクロック サイクルが延長されます。
書き込み操作はバイト書き込み選択 (BW) によって制御されます。ある–BWdCY7C1370D および BW 用ある–BWbCY7C1372D の場合）および書き込みイネーブル（WE）入力。すべての書き込みは、オンチップの同期セルフタイミング書き込み回路で実行されます。
3 つの同期チップ イネーブル (CE1、CE2、CE3) と非同期出力イネーブル (OE) により、簡単なバンク選択と出力スリーステート制御が可能になります。バスの競合を回避するために、出力ドライバーは書き込みシーケンスのデータ部分中に同期してスリーステートになります。
ロジック ブロック図 - CY7C1370D (512K x 36)
ロジック ブロック図 - CY7C1372D (1 Mbit x 18)
最大定格
(これを超えると耐用年数が損なわれる可能性があります。ユーザーガイドラインのため、テストはされていません。)
保管温度 ................................................................... ...................................–65°C ～ +150°C
通電時の周囲温度................................................................................–55°C +125℃まで
GND を基準とした VDD の電源電圧................................................................................ . –0.5V ～ +4.6V
DC からトライステート出力へ ................................................................ ..... –0.5V ～ VDDQ + 0.5V
DC 入力電圧................................................................................ ...................................–0.5V ～ VDD + 0.5V
出力への電流 (LOW)................................................................ ................................................ 20mA
静電気放電電圧................................................................................ ................................... > 2001V
(MIL-STD-883、メソッド 3015 に準拠)
ラッチアップ電流................................................................................ ................................................ > 200mA
株式公開（ホットセル）
| 部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| ADM2485BRWZ | 1997年 | 広告 | 16歳以上 | SOP |
| H1061 | 1997年 | 打つ | 14歳以上 | TO-220 |
| 30CPF04 | 1998年 | IR | 14歳以上 | TO-3P |
| BYV32E-200 | 1999年 | 14歳以上 | TO-220 | |
| PC400 | 1999年 | シャープ | 16歳以上 | SOP |
| 2N5551 | 2000年 | の上 | 16歳以上 | TO-92 |
| 2SK2225 | 2000年 | ルネサス | 13歳以上 | TO-3P |
| 4N35 | 2000年 | ビシェイ | 15歳以上 | DIP6 |
| 74HC125D | 2000年 | 16歳以上 | SOP | |
| ADXRS620BBGZ | 2000年 | ADI | 16歳以上 | GBA |
| AP40T03GS | 2000年 | APEC | 14歳以上 | TO-263 |
| AT89C51-24PC | 2000年 | アトメル | 14歳以上 | DIP40 |
| BB405 | 2000年 | PH | 14歳以上 | DO-34 |
| BTA10-600B | 2000年 | ST | 16歳以上 | T0-220 |
| BU2508DX | 2000年 | ファイ | 16歳以上 | TO-3P |
| CA3420E | 2000年 | インターシル | 13歳以上 | DIP8 |
| FQP4N90 | 2000年 | FSC | 15歳以上 | TO-220 |
| IRFP3710 | 2000年 | IR | 16歳以上 | TO-247 |
| IRFZ44NPBF | 2000年 | IR | 16歳以上 | TO-220 |
| IRS21064S | 2000年 | IR | 14歳以上 | SOP14 |
| L4981A | 2000年 | ST | 14歳以上 | SOP20 |
| LD1117DT33TR | 2000年 | ST | 14歳以上 | TO252 |
| LM317K | 2000年 | UTC | 16歳以上 | TO220 |
| LM340MPX-5.0 | 2000年 | NS | 16歳以上 | SOT-223 |
| LM386MX-1 | 2000年 | NS | 13歳以上 | SOP8 |
| LPC2378FBD | 2000年 | 15歳以上 | QFP144 | |
| MAX3160EAP | 2000年 | マキシム | 16歳以上 | SSOP20 |
| MAX6902ETA | 2000年 | マキシム | 16歳以上 | QFN |
| MC68HC11E1CFNE2 | 2000年 | フリースカル | 14歳以上 | PLCC-52 |
| MJE15032G | 2000年 | の上 | 14歳以上 | TO220 |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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