ILQ2 集積回路チップのオプトカプラ、フォトトランジスタ出力
electronics ic chip
,integrated circuit ic
ILD1/2/5/ILQ1/2/5
フォトカプラ、フォトトランジスタ出力 (デュアル、クワッド チャネル)
特徴
• Iでの電流伝達率F= 10mA
• 絶縁試験電圧、5300 VRMS
• 鉛フリーコンポーネント
• RoHS 2002/95/EC および WEEE 2002/96/EC に準拠したコンポーネント
代理店の承認
• UL1577、ファイル番号 E52744 システムコード H または J、二重保護
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
• DIN EN 60747-5-2 (VDE0884) DIN EN 60747-5-5 保留中 オプション 1 で利用可能
• フィムコ
説明
ILD1/2/5/ILQ1/2/5は、GaAs赤外線LEDとシリコンNPNフォトトランジスタを使用した光学的に結合された絶縁ペアです。DC レベルを含む信号情報は、入力と出力間の高度な電気的絶縁を維持しながら、ドライブによって送信できます。
ILD1/2/5/ILQ1/2/5は、中速ロジックを駆動するために特に設計されており、厄介なグランドループやノイズの問題を排除するために使用できます。また、これらのカプラは、CTR 変調などの多くのデジタル インターフェイス アプリケーションでリレーやトランスの代替として使用できます。
ILD1/2/5 には 1 つの DIP パッケージ内に 2 つの絶縁チャネルがあり、ILQ1/2/5 にはパッケージごとに 4 つの絶縁チャネルがあります。
絶対最大定格
Tamb = 25 °C (特に指定のない限り) 絶対最大定格を超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。デバイスの機能動作は、これらの条件または本書の動作セクションに記載されている条件を超えるその他の条件で暗示されるものではありません。絶対最大定格に長時間さらされると、信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。
パラメータ | 試験条件 | シンボル | 価値 | ユニット | |
---|---|---|---|---|---|
入力 | |||||
逆電圧 | VR | 6.0 | V | ||
順電流 | 私F | 60 | ミリアンペア | ||
サージ電流 | 私FSM | 2.5 | あ | ||
消費電力 | Pディスる | 100 | mW | ||
25 °C から直線的に低下 | 1.3 | mW/℃ | |||
出力 | |||||
コレクタ・エミッタ逆電圧 | ILD1 | VCER | 50 | V | |
ILQ1 | VCER | 50 | V | ||
ILD2 | VCER | 70 | V | ||
ILQ2 | VCER | 70 | V | ||
ILD5 | VCER | 70 | V | ||
ILQ5 | VCER | 70 | V | ||
コレクタ電流 | 私C | 50 | ミリアンペア | ||
t < 1.0 ミリ秒 | 私C | 400 | ミリアンペア | ||
消費電力 | Pディスる | 200 | mW | ||
25 °C から直線的に低下 | 2.6 | mW/℃ | |||
カプラー | |||||
絶縁試験電圧 (標準気候 25 °C/50 % RH、DIN 50014 に基づくエミッタとディテクタ間) | VISO | 5300 | VRMS | ||
沿面距離 | ≧ 7.0 | んん | |||
クリアランス | ≧ 7.0 | んん | |||
絶縁抵抗 | VIO= 500 V、タンブ = 25 °C | RIO | 1012 | Ω | |
VIO= 500 V、タンブ = 100 °C | RIO | 1011 | Ω | ||
パッケージの許容損失 | P全部 | 250 | mW | ||
25 °C から直線的に低下 | 3.3 | mW/℃ | |||
保管温度 | tstg | -40~+150 | ℃ | ||
動作温度 | タンブ | -40~+100 | ℃ | ||
接合部温度 | ティ | 100 | ℃ | ||
はんだ付け温度 | ケース底面から2.0mm | Tsld | 260 | ℃ |
株式公開(ホットセル)
部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
BC847CLT1G | 10000 | の上 | 14歳以上 | SOT-23 |
BC848CLT1G | 10000 | の上 | 16歳以上 | SOT-23 |
LM7812CT | 10000 | NSC | 15歳以上 | TO-220 |
MAX660MX | 5052 | NSC | 12歳以上 | SOP |
LT3759EMSE | 3778 | LT | 15歳以上 | MSOP |
LTC3374EUHF | 6831 | 線形 | 16歳以上 | QFN |
MCP1703T-3302E/MB | 5104 | マイクロチップ | 15歳以上 | SOT-89 |
MCF52236AF50 | 4822 | フリースケール | 14歳以上 | QFP |
MTP8N50E | 7541 | の上 | 10+ | TO-220 |
PCA9535D | 12200 | 16歳以上 | SOP | |
LPC2388FBD144 | 952 | 15歳以上 | QFP-144 | |
LMR10515XMF | 1922年 | TI | 15歳以上 | SOT-23-5 |
MT46V32M16BN-6IT:F | 7149 | ミクロン | 14歳以上 | FBGA |
LPC1778FBD144 | 1752年 | 15歳以上 | LQFP-144 | |
MAX6366LKA31-T | 4564 | マキシム | 15歳以上 | SOT |
LMV393MX | 5311 | NSC | 14歳以上 | SOP-8 |
LM2678SX-5.0 | 2000年 | NSC | 11+ | TO-263 |
NTB60N06T4G | 4380 | の上 | 16歳以上 | TO-263 |
30377* | 668 | ボッシュ | 10+ | PLCC44 |
LM317MKVURG3 | 4026 | TI | 13歳以上 | TO-252 |
OPA2365AIDR | 7080 | TI | 15歳以上 | SOP |
AVL6211LA | 1100 | アベイリンク | 14歳以上 | QFP64 |
MLX14308IBF | 3400 | メレクシス | 14歳以上 | SOP |
LM2901DG | 6580 | の上 | 14歳以上 | SOP-14 |
LT1963EST-3.3 | 5050 | LT | 16歳以上 | SOT-223 |
MJH6287 | 89000 | の上 | 16歳以上 | TO-218 |
PIC12F629-E/P | 5418 | マイクロチップ | 15歳以上 | 浸漬 |
PIC16F616-I/P | 5173 | マイクロチップ | 14歳以上 | 浸漬 |
30615* | 925 | ボッシュ | 11+ | QFP-32 |
30277* | 482 | ボッシュ | 11+ | SOP-16 |

RoHS SOD123の場合の速いスイッチング・ダイオードSOT23 1N4148W-E3-08

LL42-GS08 30V 200mAの芝地-信号のショットキー80のダイオード

SMBJ170A-E3/52ピーク脈拍力600W 17Vのスタンドオフの電圧VISHAY

TO-247 VISHAY力Mosfet 12A 200V PチャネルIRFP9240PBF

VO0630T フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック

1W 18Kohms 300V 50ppm MELFの抵抗器MMB02070C1802FB200

MMB02070C1004FB200テレコミュニケーションの薄膜の活動的な部品の状態のための反硫黄SMDの破片の抵抗器

MMB02070C1503FB200薄膜抵抗器150のKOhms ±1% MELF 0207のメタル・フィルム抵抗器

SMM02040C3903FB300 MELF 0204の390kオームの抵抗器、反硫黄の自動車バラスト抵抗器

MMA02040C2201FB300 SMDの破片の抵抗器0.4Wの2/5W 0204反硫黄2.2 KOhms
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
![]() |
RoHS SOD123の場合の速いスイッチング・ダイオードSOT23 1N4148W-E3-08 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
|
|
![]() |
LL42-GS08 30V 200mAの芝地-信号のショットキー80のダイオード |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
|
|
![]() |
SMBJ170A-E3/52ピーク脈拍力600W 17Vのスタンドオフの電圧VISHAY |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
|
![]() |
TO-247 VISHAY力Mosfet 12A 200V PチャネルIRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
![]() |
VO0630T フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
|
|
![]() |
1W 18Kohms 300V 50ppm MELFの抵抗器MMB02070C1802FB200 |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
![]() |
MMB02070C1004FB200テレコミュニケーションの薄膜の活動的な部品の状態のための反硫黄SMDの破片の抵抗器 |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
![]() |
MMB02070C1503FB200薄膜抵抗器150のKOhms ±1% MELF 0207のメタル・フィルム抵抗器 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
![]() |
SMM02040C3903FB300 MELF 0204の390kオームの抵抗器、反硫黄の自動車バラスト抵抗器 |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
|
|
![]() |
MMA02040C2201FB300 SMDの破片の抵抗器0.4Wの2/5W 0204反硫黄2.2 KOhms |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|