SPC6332S36RGB 電子ICチップ 集積回路IC部品
electronics ic chip
,integrated circuit components
SPC6332S36RGB 電子ICチップ 集積回路IC部品
記述
SPC6332は,NおよびPチャネル強化モードの電源フィールド効果トランジスタで,高細胞密度,DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特にオン状態の抵抗を最小限に抑え,優れたスイッチング性能を提供するために設計されています.
これらのデバイスは,ノートPCの電源管理などの低電圧アプリケーションや,高サイドスイッチ,低線電源損失,低電源流量,低電源流量,低電源流量,低電源流量などに特に適しています.耐性があるからです.
一部についてストックリスト
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
ダイオード BYG23M-E3/TR | ヴィシャイ | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | ヴィシャイ | 1632年12月 | SMA |
ダイオード BYG23M-E3/TR | ヴィシャイ | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | ヴィシャイ | 1632年12月 | SMA |
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | ヴィシャイ | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | ヴィシャイ | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | マイクロチップ | 16255C4 | SOP-14 |
アコプラドール PC817A | シャープ | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
トランス2SS52M | ハニーウェル | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | マイクロチップ | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
CAP 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
インデューサー 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
CAP ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | パン番号 | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*54 |
C.I 24LC256-I/SN | マイクロチップ | 1636M6G | SOP-8 |
CAP ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | ニチコン | 160602/150/25V/H72 | SMD8*105 |
RES RC0805JR-0727RL | ヤゲオ | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | ヤゲオ | 1637 | SMD0805 |
CAP CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | タイヨユデン | 1608 | SMD0805 |
CAP CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | ヤゲオ | 1638 | SMD0805 |
RES 3K3 5% CASE 0805RC0805JR-073K3L | ヤゲオ | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
特徴
Nチャネル
20V/0.95A,RDS ((ON) = 380mΩ@VGS=4.5V
20V/0.75A,RDS ((ON) =450mΩ@VGS=2.5V
20V/0.65A,RDS ((ON) =800mΩ@VGS=1.8V
Pチャンネル -20V/1.0A,RDS (オン) = 520mΩ@VGS=-4.5V
-20V/0.8A,RDS ((ON) = 700mΩ@VGS=-2.5V -20V/0.7A,
RDS ((ON) = 950mΩ@VGS=-1.8V
非常に低いRDS (ON) のための超高密度セル設計
特殊なオン抵抗と最大DC電流能力
SOT-363 (SC-70-6L) パッケージ設計
応用
z ノートブックにおける電力管理
z 携帯機器
z バッテリー駆動システム
z DC/DC変換器
z 負荷スイッチ
z DSC
z LCDディスプレイインバーター
ピンの配置