SN74HC20DR 集積回路の破片、二重 4 入力 NAND ゲート IC 電子部品
メーカー:
テキサス・インストラクション
記述:
否定論履積ゲートIC 2チャネル14-SOIC
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
伝搬遅延nA、nB、NC、nYへのnD:
8 ns
入れられたキャパシタンス:
3.5 pF
パッケージ1個あたりの電力損失キャパシタンス:
22 pF
出力機能:
標準
ハイライト:
electronics ic chip
,integrated circuit ic
導入
74HC20D 集積回路の破片、二重 4 入力 NAND ゲート IC 電子部品
デュアル 4 入力 NAND ゲート 74HC/HCT20
特徴
• 出力能力: 標準
• 私CCカテゴリー: SSI
概要
74HC/HCT20 は高速 Si ゲート CMOS デバイスで、低消費電力ショットキー TTL (LSTTL) とピン互換性があります。これらは、JEDEC 規格 No. に準拠して指定されています。7A.74HC/HCT20 は 4 入力 NAND 機能を提供します。
クイックリファレンスデータ
GND = 0V;Tアンビ= 25 °C;tr= tf= 6ns
| シンボル | パラメータ | 条件 | 典型的 | ユニット | |
| HC | HCT | ||||
| tPHL/tPLH | 伝播遅延 nA、nB、nC、nD ～ nY | CL= 15pF;VCC= 5V | 8 | 13 | ns |
| C私 | 入力容量 | 3.5 | 3.5 | pF | |
| CPD | パッケージあたりの許容損失静電容量 | 注1と2 | 22 | 17 | pF |
ノート
1.CPD動的消費電力 (PDμW単位):
PD= CPD×VCC2× f私+ ∑ (CL×VCC2× fああ） どこ：
f私= 入力周波数 (MHz)
fああ= 出力周波数 (MHz)
CL= 出力負荷容量 (pF)
VCC= 電源電圧 (V)
∑ (CL×VCC2× fああ) = 出力の合計
2. HC の場合、条件は V です。私= GND から VCC
HCT の場合、条件は V です。私= GND から VCC−1.5V
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