PIC12C508AT-04I/SNのマイクロチップおよび集積回路8ビットCMOSのマイクロ制御回路

PIC12C508AT-04I/SNのマイクロチップおよび集積回路8ビットCMOSのマイクロ制御回路

PIC12C5XX

8 Pinの8ビットCMOSのマイクロ制御回路

このデータ用紙に含まれている装置:

•PIC12C508 •PIC12C508A •PIC12CE518

•PIC12C509 •PIC12C509A •PIC12CE519

•PIC12CR509A

注:このデータ用紙中PIC12C5XXはPIC12C508、PIC12C509、PIC12C508A、PIC12C509A、PIC12CR509A、PIC12CE518およびPIC12CE519を示す。PIC12CE5XXはPIC12CE518およびPIC12CE519を示す。

高性能RISC CPU:

•学ぶ33の単語の指示だけ

•すべての指示はtwo-cycleのプログラム枝を除いて単一周期（1 µs）である

•規定回転数:DC -クロックの入力4つのMHzの

DC - 1つのµsの命令サイクル

•12ビット広い指示

•8ビット広いデータ・パス

•7つの特殊関数のハードウェア レジスター

•二レベルの深いハードウェア積み重ね

•データおよび指示のための直接の、間接および相対的なアドレッシング・モード

•プログラム可能な口径測定の内部4 MHz RCの発振器

•回路内連続プログラミング

周辺特徴:

•8ビット プログラム可能なprescalerが付いている8ビット実時間時計/カウンター（TMR0）

•パワー調整（POR）

•装置調整のタイマー（DRT）

•信頼できる操作のための自身のオン破片RCの発振器が付いているウォッチドッグ タイマー（WDT）

•プログラム可能なコード保護

•1,000,000の消去は/周期EEPROMデータ記憶を書く

•EEPROMデータ保持> 40年

•節電の休眠モード

•ピン変更の睡眠から目覚し

•入力/出力ピンの内部弱い懸垂

•MCLRピンの内部懸垂

•選択可能な発振器の選択:

- INTRC:内部4 MHz RCの発振器

- EXTRC:外的な低価格RCの発振器

- XT:標準的な水晶/共鳴器

- LP:節電、低頻度の水晶

CMOSの技術:

•低い電力、高速CMOS EPROM/ROMの技術

•十分に静的な設計

•広い作動の電圧範囲

•広い温度較差:

- コマーシャル:0°Cへの+70°C

- 産業:-40°Cへの+85°C

- 延長:-40°Cへの+125°C

•低い電力の消費

- < 2="" mA="">

- 15 µA典型的な@ 3V、32のKHz

- < 1="">

概説

マイクロチップ・テクノロジーからのPIC12C5XXは、十分に静的な8ビット、低価格、高性能の系列EEPROM/EPROM/ROMベースのCMOSのマイクロ制御回路である。それは33の単語/単一周期の指示だけを含むRISCの建築を用いる。すべての指示は2つの周期を取るプログラム枝を除いて単一周期（1 µs）である。PIC12C5XXは性能を同じ価格の部門の競争相手より高い一桁提供する。12ビット広い指示はクラスの他の8ビット マイクロ制御回路上の2:1コード圧縮に終って非常に対称である。使いやすくのおよび命令セットを覚えること容易開発時間をかなり減らす。

PIC12C5XXプロダクトはシステム費用および電力要求事項を減らす特殊機能が装備されている。調整（POR）および装置調整のタイマー（DRT）パワーで除去するため外的な再調節された回路部品のための必要性を。INTRCの内部発振器モードおよびパワー セービングLP （低い電力）の発振器モードを含んでから、選ぶべき4つの発振器構成がある。節電の休眠モード、ウォッチドッグ タイマーおよびコード記憶保護機構はまたシステム費用、力および信頼性を改善する。

PIC12C5XXはあらゆる容積の生産のために適している費用効果が大きく1時間プログラム可能な（OTP）版で利用できる。顧客はOTPの柔軟性から寄与している間OTPのマイクロ制御回路のマイクロチップの価格リーダーシップを充分に利用することができる。

PIC12C5XXプロダクトはフル装備のマクロ アセンブラ、ソフトウェア シミュレーター、回路内エミュレーター、『C』の編集者、ファジイ論理のサポート ツール、低価格の開発プログラマーおよびフル装備 プログラマーによって支えられる。すべての用具はIBMののPCおよび多用性がある機械で支えられる。

絶対最高評価の†

バイアス................................................................................ – 40°Cへの+125°Cの下の周囲温度

保管温度................................................................................................ – 65°Cへの+150°C

VSS ..................................................................................... 0から+7.5 Vに関するVDDの電圧

VSS .................................................................................... 0から+14 Vに関するMCLRの電圧

VSSに関する他のすべてのピンの電圧.................................................... – 0.6ボルトへの（VDD + 0.6 V）

全体の電力損失（1） ......................................................................................................... 700 MW

最高。VSSピンからの流れ........................................................................................................ 200 mA

最高。VDDピンへの流れ........................................................................................................... 150 mA

入れられたクランプ流れ、IIK （VI < 0="" or="" VI="">VDD） ............................................................................... ±20 mA

出力クランプ流れ、IOK （VO < 0="" or="" VO=""> VDD） ......................................................................±20 mA

最高。入力/出力ピンによって........................................................................................沈む出力電流25 mA

最高。入力/出力ピンによって供給された出力電流................................................................................... 25 mA

最高。入力/出力の港（GPIO）によって供給された出力電流......................................................................... 100 mA

最高。入力/出力の港（GPIO）によって................................................................................沈む出力電流100 mA

ノート1:電力損失は次の通り計算される:PDIS = VDD X {IDD - ∑ IOH} + ∑ {（VDD-VOH） x IOH} + ∑ （VOL. X IOL）

†の通知:「最高の評価の下に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の評価だけであり、それらの装置またはそれらの上の他のどの条件のも機能操作はこの指定の操作のリストで意味されない示した。長期の最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。

PIC12C5XXのブロック ダイヤグラム