MT46V8M16TG-6T IT:D TR オリジナル集積回路集積回路チップダブルデータレート DDR SDRAM
integrated circuit ic
,integrated circuit components
ダブルデータレート (DDR) SDRAM
特徴
• 167 MHz クロック、333 Mb/s/p データレート
・VDD = +2.5V ±0.2V、VDDQ = +2.5V ±0.2V
• データとともに送信/受信される双方向データ ストローブ (DQS)、つまりソース同期データ キャプチャ (x16 にはバイトごとに 2 つ - 1 つあり)
• 内部のパイプライン化されたダブルデータレート (DDR) アーキテクチャ。クロック サイクルあたり 2 回のデータ アクセス
• 差動クロック入力 (CK および CK#)
• 各正の CK エッジで入力されたコマンド
• DQS は READ のデータとエッジを揃えます。WRITE のデータと中央揃え
• DQ および DQS 遷移を CK に合わせて調整する DLL
• 同時動作のための 4 つの内部バンク
• 書き込みデータをマスクするためのデータ マスク (DM) (x16 には 2 つがあり、バイトごとに 1 つあります)
• プログラム可能なバースト長: 2、4、または 8
• 同時自動プリチャージオプションをサポート
• 自動リフレッシュ モードとセルフ リフレッシュ モード
• FBGAパッケージが利用可能
• 2.5VI/O (SSTL_2 互換)
• t RAS ロックアウト (t RAP = t RCD)
• DDR200およびDDR266との下位互換性
オプション部品番号
• 構成
32メガ×4（8メガ×4×4バンク） 32M4
16メガ×8（4メガ×8×4バンク） 16M8
8メガ×16（2メガ×16×4バンク） 8M16
• プラスチックパッケージ
66 ピン TSOP (OCPL) TG
60 ボール FBGA (16x9mm) FJ
• タイミング - サイクルタイム
6ns @ CL = 2.5 (DDR333B–FBGA)1-6
6ns @ CL = 2.5 (DDR333B–TSOP)1-6T
7.5ns @ CL = 2 (DDR266A)2-75Z
• セルフリフレッシュ
標準 なし
注: 1. 2.5-3-3 タイミングの PC2700 モジュールをサポート
2. 2-3-3 タイミングで PC2100 モジュールをサポート
DDR333の互換性
DDR333 は、DDR266 のすべてのタイミング要件を満たすか、それを上回っているため、現在の DDR 設計との完全な下位互換性が保証されています。さらに、これらのデバイスは同時自動プリチャージと t RAS ロックアウトをサポートし、タイミング パフォーマンスを向上させます。128Mb、DDR333 デバイスは、15.6µs の (t REFI) 平均周期リフレッシュ間隔をサポートします。
標準の 66 ピン TSOP パッケージは、FBGA パッケージがマルチドロップ システム向けであるポイントツーポイント アプリケーション向けに提供されています。
ここで指定されていない限り、Micron 128Mb データシートには完全な仕様と機能が記載されています。
FBGA 60 ボール パッケージの寸法
FBGA パッケージのマーキング
FBGA パッケージの物理的なサイズのため、完全な注文部品番号はパッケージには印刷されていません。代わりに、次のパッケージ コードが使用されます。
上部のマークには 5 つのフィールドが含まれています 12345
• フィールド 1 (製品ファミリー)
ドラムD
ドラム - ES Z
• フィールド 2 (製品タイプ)
2.5 ボルト、DDR SDRAM、60 ボール L
• フィールド 3 (幅)
x4 デバイス B
x8 デバイス C
x16 デバイス D
• フィールド 4 (密度 / サイズ)
128MB F
• フィールド 5 (スピードグレード)
-6J
-75ZP
-75°F
-8℃
66 ピン TSOP パッケージの寸法 66 ピン TSOP パッケージのピン割り当て
MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TRの同期ドラムICミクロンTSOP4 Meg X 4 x 4銀行
M45PE10-VMN6P フラッシュメモリIC 新品とオリジナル
MT25QL512ABB1EW9-0SIT フラッシュメモリIC 新品とオリジナルストック
N25Q128A13EF740F 新しい原産物
PF48F3000P0ZTQEA 新しい原産物
N25Q128A13ESF40F TR 新しい原産物
N25Q064A13ESE40F TR 新しい原産物
N25Q128A11EF840F TR 新しい原産物
N25Q128A13BSF40F TR 新しい原産物
MX30LF2G18AC-TI 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TRの同期ドラムICミクロンTSOP4 Meg X 4 x 4銀行 |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
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M45PE10-VMN6P フラッシュメモリIC 新品とオリジナル |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
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MT25QL512ABB1EW9-0SIT フラッシュメモリIC 新品とオリジナルストック |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
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N25Q128A13EF740F 新しい原産物 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
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PF48F3000P0ZTQEA 新しい原産物 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
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N25Q128A13ESF40F TR 新しい原産物 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
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N25Q064A13ESE40F TR 新しい原産物 |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
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N25Q128A11EF840F TR 新しい原産物 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
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N25Q128A13BSF40F TR 新しい原産物 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
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MX30LF2G18AC-TI 新しい原産物 |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
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