集積回路エレクトロニクス ADG918BRMZ 広帯域 4 GHz 43 dB 絶縁
integrated circuit ic
,integrated circuit components
集積回路エレクトロニクス ADG918BRMZ 広帯域 4 GHz 43 dB 絶縁
ADG918BRMZ広帯域 4 GHz、1 GHz で 43 dB の絶縁、CMOS 1.65 V ～ 2.75 V、2:1 Mux/SPDT
機能ブロック図
特徴
広帯域スイッチ: -3 dB @ 4 GHz
吸収・反射スイッチ
高いオフアイソレーション (43 dB @ 1 GHz)
低い挿入損失 (0.8 dB @1 GHz)
1.65 V ～ 2.75 V の単一電源
CMOS/LVTTL制御ロジック
8 リード MSOP および小型 3 mm × 3 mm LFCSP パッケージ
低消費電力 (<1 μA)
アプリケーション
無線通信
汎用RFスイッチング
デュアルバンドアプリケーション
高速フィルタ選択
デジタルトランシーバーフロントエンドスイッチ
IF切り替え
チューナーモジュール
アンテナダイバーシティ切り替え
概要
ADG918/ADG919 は、CMOS プロセスを使用し、1 GHz までの高い絶縁性と低い挿入損失を実現する広帯域スイッチです。ADG918 は 50 Ω 終端シャントレッグを備えた吸収型（整合型）スイッチですが、ADG919 は反射型スイッチです。これらのデバイスは、DC ～ 1 GHz の周波数範囲にわたって絶縁性が高くなるように設計されています。オンボードCMOS制御ロジックを備えているため、外部制御回路が不要になります。制御入力はCMOSとLVTTLの両方に互換性があります。これらの CMOS デバイスは消費電力が低いため、ワイヤレスおよび汎用の高周波スイッチングに最適です。
アプリケーション。
製品のハイライト
1. 1 GHz で –43 dB オフのアイソレーション。
2. 1 GHz で 0.8 dB の挿入損失。
3. 小型 8 ピン MSOP/LFCSP パッケージ。
仕様
特に指定のない限り、VDD = 1.65 V ～ 2.75 V、GND = 0 V、入力電力 = 0 dBm、すべての仕様は TMIN ～ TMAX。B バージョンの温度範囲: -40°C ～ +85°C。
| パラメータ | シンボル | 条件 | 分 |
Bバージョン タイプ1 |
マックス | ユニット |
|
キャパシタンス3 RF オン キャパシタンス CTRL入力容量 |
CRF の上 CCTRL |
f = 1MHz f = 1MHz |
1.6 2 |
pF pF |
||
|
電力要件
VDD
静止電源電流 |
私DD | デジタル入力 = 0 V または VDD | 1.65 |
0.1 |
2.75 1 |
v μA |
1 特に指定のない限り、代表値は VDD = 2.5 V、25°C における値です。
2 挿入損失が 1 dB 劣化するポイント。
3 設計によって保証されており、製造テストの対象ではありません。
4 50 Ω テスト設定で制御電圧が高から低、または低から高に切り替わったときのスイッチの任意のポートの出力における DC 過渡電流。1 ns の立ち上がり時間パルスおよび 500 MHz の帯域幅で測定。