メッセージを送る
> 製品 > フラッシュ・メモリICの破片 > 電子機器のオリジナル集積回路チップ 93LC66A-I/SN 1K-16K マイクロワイヤー

電子機器のオリジナル集積回路チップ 93LC66A-I/SN 1K-16K マイクロワイヤー

メーカー:
マイクロチップ
記述:
EEPROM メモリ IC 4Kbit マイクロワイヤ 2 MHz 8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
条件:
迎合的なPbなしおよびRoHS
メイン・ライン:
IC、モジュール、トランジスター、ダイオード、コンデンサー、抵抗器等
郵送物:
DHL、FEDERAL EXPRESS、UPS、TNT、EMS
産業(I):
-40°Cへの+85°C
自動車(e):
-40°Cへの+125°C
パッケージ:
TSSOP-8
ハイライト:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

導入

 
電子機器のオリジナル集積回路チップ 93LC66A-I/SN 1K-16K マイクロワイヤー
 
 
93LC66A-I/SN
1K ~ 16K Microwire 互換シリアル EEPROM
 
特徴
• 1 Kビットから16 Kビットまでの密度
• 低電力CMOSテクノロジー
• ORG 機能の有無にかかわらず使用可能: ORG 機能あり: - ロジック Low の ORG ピン: 8 ビット ワード - ロジック High の ORG ピン: 16 ビット ワード ORG 機能なし: - 「A」バージョン: 8 ビット ワード - ' B'バージョン: 16ビットワード
• プログラム イネーブル ピン: - アレイ全体の書き込み保護 (93XX76C および 93XX86C のみ)
• セルフタイム消去/書き込みサイクル (自動消去を含む)
• WRAL 前の自動 ERAL
• 電源オン/オフのデータ保護回路
• 業界標準の 3 線式シリアル I/O
• デバイスステータス信号 (レディ/ビジー)
・シーケンシャルリード機能
• 1,000,000 E/W サイクル
• データ保存期間 > 200 年
• 鉛フリーおよび RoHS 準拠
• サポートされる温度範囲
- 工業用 (I) -40°C ~ +85°C
- 自動車 (E) -40°C ~ +125°C
 
説明:
Microchip Technology Inc. は、1 K ビットから最大 16 K ビットまでの密度の低電圧シリアル電気的消去可能 PROM (EEPROM) を備えた 3 線 Microwire バスをサポートしています。各密度は ORG 機能ありまたはなしで利用でき、注文した部品番号によって選択されます。高度な CMOS テクノロジーにより、これらのデバイスは低電力の不揮発性メモリ アプリケーションに最適です。Microwire デバイスの全シリーズは、標準の 8 リード PDIP および SOIC パッケージに加え、8 リード MSOP、8 リード TSSOP、6 リード SOT-23、8 リードなどのより高度なパッケージでも入手可能です。 DFN (2x3)。すべてのパッケージは鉛フリーです。ピン図 (縮尺は一定ではありません)
 
ピン機能表

名前関数
CSチップセレクト
CLKシリアルデータクロック
DLシリアルデータ入力
するシリアルデータ出力
VSS接地
PEプログラムの有効化
組織メモリ構成
VCC電源

注: ORG および PE 機能はすべての製品で利用できるわけではありません。
 
直流特性
 

特に明記されていない限り、すべてのパラメータは指定された範囲に適用されます。

VCC = 1.8V ~ 5.5V 産業用
(I): TA = -40°C ~ +85°C 自動車
(E): TA = -40°C ~ +125°C

パラム。
いいえ。
シンボルパラメータ分。最大。単位条件
A1FCLKクロック周波数——3
2
1
MHz
MHz
MHz

4.5V ≤ VCC < 5.5V
2.5V ≤ VCC < 4.5V
1.8V ≤ VCC < 2.5V

A2TCKHクロックハイタイム200
250
450
——ns
ns
ns

4.5V ≤ VCC < 5.5V
2.5V ≤ VCC < 4.5V
1.8V ≤ VCC < 2.5V

A3TCKLクロックロータイム100
200
450
——ns
ns
ns

4.5V ≤ VCC < 5.5V
2.5V ≤ VCC < 4.5V
1.8V ≤ VCC < 2.5V

A4TCSSチップセレクトのセットアップ時間50
100
250
——ns
ns
ns

4.5V ≤ VCC < 5.5V
2.5V ≤ VCC < 4.5V
1.8V ≤ VCC < 2.5V

A5TCSHチップセレクトホールド時間0——ns1.8V ≤ VCC < 5.5V
A6TCSLチップセレクトロータイム250——ns1.8V ≤ VCC < 5.5V
A7TDISデータ入力セットアップ時間50
100
250
——ns
ns
ns

4.5V ≤ VCC < 5.5V
2.5V ≤ VCC < 4.5V
1.8V ≤ VCC < 2.5V

A8TDIHデータ入力ホールド時間50
100
250
——ns
ns
ns

4.5V ≤ VCC < 5.5V
2.5V ≤ VCC < 4.5V
1.8V ≤ VCC < 2.5V

A9TPDデータ出力遅延時間——100ns

4.5V ≤ VCC < 5.5V、
CL = 100pF

A10TCZデータ出力禁止時間——200
250
400
ns
ns
ns
4.5V ≤ VCC < 5.5V 2.5V ≤ VCC < 4.5V 1.8V ≤ VCC < 2.5V
A11TSVステータス有効時間——200
300
500
ns
ns
ns
4.5V ≤ VCC < 5.5V 2.5V ≤ VCC < 4.5V 1.8V ≤ VCC < 2.5V
A12トゥクトゥクプログラムサイクルタイム——
——
——
5
6
2
MS
MS
MS
消去/書き込みモード
93XX76X/86X
(AA および LC バージョン)
93XX46X/56X/66X
(AA および LC バージョン) 93C46X/56X/66X/76X/86X
A13トゥクトゥク
A14テックプログラムサイクルタイム——6MSERAL モード、4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V
A15ツル ——15MSWRALモード、4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V
A16——耐久1M——サイクル25℃、VCC=5.0V、(注2)

 
ノート
1: このパラメータは定期的にサンプリングされ、100% テストされていません。
2: ORG ピンと PE ピンは「A」または「B」バージョンでは使用できません。
3: Ready/Busy ステータスは DO からクリアする必要があります。セクション 4.4「データ出力 (DO)」を参照してください。
 
 

関連製品
イメージ 部分# 記述
AT25128AN-10SI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25128AN-10SI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
AT25160A-10TI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25160A-10TI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
AT24C64BN-10SU-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT24C64BN-10SU-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
AT25020AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25020AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
AT25040AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25040AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 4Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
AT25010AN-10SU-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25010AN-10SU-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
AT25020AY1-10YI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25020AY1-10YI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
24LC64-I/P TVの記憶IC 64Kb (8K X 8)私² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eepromのフラッシュ・メモリ

24LC64-I/P TVの記憶IC 64Kb (8K X 8)私² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eepromのフラッシュ・メモリ

EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-PDIP
AT24C512C-SSHD-Tのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT24C512C-SSHD-Tのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 512Kbit I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC
AT25010N-10SCのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25010N-10SCのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 3 MHz 8-SOIC
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs