電子機器のオリジナル集積回路チップ 93LC66A-I/SN 1K-16K マイクロワイヤー
electronics ic chip
,integrated circuit components
電子機器のオリジナル集積回路チップ 93LC66A-I/SN 1K-16K マイクロワイヤー
93LC66A-I/SN
1K ~ 16K Microwire 互換シリアル EEPROM
特徴
• 1 Kビットから16 Kビットまでの密度
• 低電力CMOSテクノロジー
• ORG 機能の有無にかかわらず使用可能: ORG 機能あり: - ロジック Low の ORG ピン: 8 ビット ワード - ロジック High の ORG ピン: 16 ビット ワード ORG 機能なし: - 「A」バージョン: 8 ビット ワード - ' B'バージョン: 16ビットワード
• プログラム イネーブル ピン: - アレイ全体の書き込み保護 (93XX76C および 93XX86C のみ)
• セルフタイム消去/書き込みサイクル (自動消去を含む)
• WRAL 前の自動 ERAL
• 電源オン/オフのデータ保護回路
• 業界標準の 3 線式シリアル I/O
• デバイスステータス信号 (レディ/ビジー)
・シーケンシャルリード機能
• 1,000,000 E/W サイクル
• データ保存期間 > 200 年
• 鉛フリーおよび RoHS 準拠
• サポートされる温度範囲
- 工業用 (I) -40°C ~ +85°C
- 自動車 (E) -40°C ~ +125°C
説明:
Microchip Technology Inc. は、1 K ビットから最大 16 K ビットまでの密度の低電圧シリアル電気的消去可能 PROM (EEPROM) を備えた 3 線 Microwire バスをサポートしています。各密度は ORG 機能ありまたはなしで利用でき、注文した部品番号によって選択されます。高度な CMOS テクノロジーにより、これらのデバイスは低電力の不揮発性メモリ アプリケーションに最適です。Microwire デバイスの全シリーズは、標準の 8 リード PDIP および SOIC パッケージに加え、8 リード MSOP、8 リード TSSOP、6 リード SOT-23、8 リードなどのより高度なパッケージでも入手可能です。 DFN (2x3)。すべてのパッケージは鉛フリーです。ピン図 (縮尺は一定ではありません)
ピン機能表
名前 | 関数 |
CS | チップセレクト |
CLK | シリアルデータクロック |
DL | シリアルデータ入力 |
する | シリアルデータ出力 |
VSS | 接地 |
PE | プログラムの有効化 |
組織 | メモリ構成 |
VCC | 電源 |
注: ORG および PE 機能はすべての製品で利用できるわけではありません。
直流特性
特に明記されていない限り、すべてのパラメータは指定された範囲に適用されます。 | VCC = 1.8V ~ 5.5V 産業用 | |||||
パラム。 いいえ。 | シンボル | パラメータ | 分。 | 最大。 | 単位 | 条件 |
A1 | FCLK | クロック周波数 | —— | 3 2 1 | MHz MHz MHz | 4.5V ≤ VCC < 5.5V |
A2 | TCKH | クロックハイタイム | 200 250 450 | —— | ns ns ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V |
A3 | TCKL | クロックロータイム | 100 200 450 | —— | ns ns ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V |
A4 | TCSS | チップセレクトのセットアップ時間 | 50 100 250 | —— | ns ns ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V |
A5 | TCSH | チップセレクトホールド時間 | 0 | —— | ns | 1.8V ≤ VCC < 5.5V |
A6 | TCSL | チップセレクトロータイム | 250 | —— | ns | 1.8V ≤ VCC < 5.5V |
A7 | TDIS | データ入力セットアップ時間 | 50 100 250 | —— | ns ns ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V |
A8 | TDIH | データ入力ホールド時間 | 50 100 250 | —— | ns ns ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V |
A9 | TPD | データ出力遅延時間 | —— | 100 | ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V、 |
A10 | TCZ | データ出力禁止時間 | —— | 200 250 400 | ns ns ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V 2.5V ≤ VCC < 4.5V 1.8V ≤ VCC < 2.5V |
A11 | TSV | ステータス有効時間 | —— | 200 300 500 | ns ns ns | 4.5V ≤ VCC < 5.5V 2.5V ≤ VCC < 4.5V 1.8V ≤ VCC < 2.5V |
A12 | トゥクトゥク | プログラムサイクルタイム | —— —— —— | 5 6 2 | MS MS MS | 消去/書き込みモード 93XX76X/86X (AA および LC バージョン) 93XX46X/56X/66X (AA および LC バージョン) 93C46X/56X/66X/76X/86X |
A13 | トゥクトゥク | |||||
A14 | テック | プログラムサイクルタイム | —— | 6 | MS | ERAL モード、4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V |
A15 | ツル | —— | 15 | MS | WRALモード、4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V | |
A16 | —— | 耐久 | 1M | —— | サイクル | 25℃、VCC=5.0V、(注2) |
ノート
1: このパラメータは定期的にサンプリングされ、100% テストされていません。
2: ORG ピンと PE ピンは「A」または「B」バージョンでは使用できません。
3: Ready/Busy ステータスは DO からクリアする必要があります。セクション 4.4「データ出力 (DO)」を参照してください。

AT25128AN-10SI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25160A-10TI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT24C64BN-10SU-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25020AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25040AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25010AN-10SU-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25020AY1-10YI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

24LC64-I/P TVの記憶IC 64Kb (8K X 8)私² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eepromのフラッシュ・メモリ

AT24C512C-SSHD-Tのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

AT25010N-10SCのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
イメージ | 部分# | 記述 | |
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AT25128AN-10SI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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AT25160A-10TI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
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AT24C64BN-10SU-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
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AT25020AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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AT25040AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 4Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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AT25010AN-10SU-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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AT25020AY1-10YI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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24LC64-I/P TVの記憶IC 64Kb (8K X 8)私² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eepromのフラッシュ・メモリ |
EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-PDIP
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AT24C512C-SSHD-Tのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 512Kbit I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC
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AT25010N-10SCのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 3 MHz 8-SOIC
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