IRF3205PBF Mosfet力トランジスター175°C実用温度の超低いオン抵抗
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 55 V 110A （穴TO-220ABを通したTc） 200W （Tc）
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
シリーズ:
IRF3205PBF
適用:
速い切り替え速度および高耐久化された装置
パッケージ:
TO-220
名前:
Mosfet力トランジスター
ハイライト:
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
導入
か。IRF3205PbF HEXFET®力MOSFET 55V 98A TO-220 MOSFETのトランジスター
記述
国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。
特徴
- 高度の加工技術
- か。超低いオン抵抗
- か。動的dv/dtの評価
- か。175°C実用温度
- か。速い切換え
- か。評価される十分になだれ
- か。無鉛
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