電力回路大将のための現在の31A Mosfet力トランジスターIRFR5305TRPBF電圧55V
メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 55 V 31A （Tc）の110W （Tc）表面の台紙D朴
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
シリーズ:
力Mosfetのトランジスター
適用:
電力回路大将
パッケージ:
TO-252
電圧:
55V
質:
高度の加工技術
現在:
31A
ハイライト:
high speed mosfet transistor
,p channel mosfet transistor
導入
電力回路大将のためのIRFR5305TRPBFのトランジスターTO252 55V 31A力MOSFET
IRFR5305PbF
IRFU5305PbF
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
D朴は蒸気段階、赤外線、または波のはんだ付けする技術を使用して表面取り付けのために設計されている。まっすぐな鉛版（IRFUシリーズ）は適用を取付けるによ穴のためである。電力損失のレベルは1.5ワットまで典型的な表面の台紙の塗布で可能である。
絶対最高評価
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変数 |
最高。 |
単位 |
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ID @ TC = 25°C |
連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V |
-31 |
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ID @ TC = 100°C |
連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V |
-22 |
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IDM |
脈打った下水管の流れ |
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