電圧20V PチャネルSMD MosfetのトランジスターIRF7404TRPBF現在の7.7A SOP8パッケージ
メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 20 V 6.7A （Ta）の2.5W （Ta）表面の台紙8-SO
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
パッケージ:
SOP8
シリーズ:
SOP8 Pチャネルのトランジスター
電圧:
20V
適用:
蒸気段階、赤外線の、または波のはんだ付けする技術のため
現在:
7.7A
特徴:
PCBの台紙の塗布のために適した0.8w
ハイライト:
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
導入
元のIRF7404TRPBF SOP8 Pチャネル20V 7.7A SMD MOSFETのトランジスター
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な装置を、デザイナーに与える。
SO-8は高められた熱特徴およびそれをいろいろな力の適用で理想的にさせる多数ダイスの機能のためのカスタマイズされたleadframeを通して変更された。これらの改善を使うと、多数装置は劇的に減らされた板スペースを使うと適用で使用することができる。パッケージは蒸気段階、赤外線の、または波のはんだ付けする技術のために設計されている。0.8Wより大きいの電力損失は典型的なPCBの台紙の塗布で可能である。
特徴
l世代別V T echnology
l超低いオン抵抗
l P-Channel Mosfet
l表面の台紙
テープ及び巻き枠で利用できるl
l動的dv/dtの評価
l速い切換え
パッケージ
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MOQ:
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