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2SC5171可聴周波電力増幅器ICのトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ200のMHz

メーカー:
製造者
記述:
両極(BJT)トランジスターNPN 180 V 2穴TO-220NISを通した200MHz 2 W
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
タイプ:
アンプはICを欠く
適用:
電力増幅器の塗布
パッケージ:
3つのピンは浸る
特徴:
高い転移の頻度
広い帯域幅:
200のMHz
シリーズ:
2SA1930に補足
ハイライト:

2SC5171

,

TOSHIBA original chip

,

Audio Power Amplifier IC

導入

2SC5171東芝のトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ電力増幅器の塗布

特徴


•高い転移の頻度:fT = 200のMHz (タイプ。)

•2SA1930に補足

電気特徴(Tc = 25°C)

特徴

記号

テスト条件

タイプ。

最高

単位

コレクタ遮断電流

ICBO

VCB = 180ボルト、IE = 0

-

-

5.0

μA

エミッターの締切りの流れ

IEBO

VEB = 5ボルト、IC = 0

-

-

5.0

μA

Collector-emitterの絶縁破壊電圧

V (BR) CEO

IC = 10 mA、IB = 0

180

-

-

V

DCの現在の利益

hFE (1)

VCE = 5ボルト、IC = 0.1 A

100

-

320

hFE (2)

VCE = 5ボルト、IC = 1 A

50

-

-

Collector-emitterの飽和電圧

VCE (坐った)

IC = 1 A、IB = 0.1 A

-

0.16

1.0

V

Base-emitterの電圧

VBE

VCE = 5ボルト、IC = 1 A

-

0.68

1.5

V

転移の頻度

fT

VCE = 5ボルト、IC = 0.3 A

-

200

-

MHz

コレクターの出力キャパシタンス

穂軸

VCB = 10ボルト、IE = 0、f = 1つのMHz

-

16

-

pF

絶対最高評価(Tc = 25°C)

特徴

記号

評価

単位

Collector-base電圧

VCBO

180

V

Collector-emitter電圧

VCEO

180

V

Emitter-base電圧

VEBO

5

V

コレクター流れ

IC

2

基礎流れ

IB

1

コレクターの電力損失

Ta = 25°C

PC

2.0

W

Tc = 25°C

20

接合部温度

Tj

150

°C

保管温度の範囲

Tstg

−55に150

°C

適用


•電力増幅器の塗布

•運転者段階のアンプの塗布

2SC5171 .pdf

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