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プログラム可能読み取り専用メモリの低電圧のフラッシュ・メモリの破片AT24C02D-SSHM-T

メーカー:
製造者
記述:
EEPROMの記憶IC 2Kbit I ² C 1 MHz 450 ns 8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
シリーズ:
AT24C02
適用:
フラッシュ・メモリ
パッケージ:
SOP8
名前:
フラッシュ・メモリの破片
特徴:
低電圧操作
電圧:
1.7Vへの3.6V
ハイライト:

serial flash memory

,

serial flash chip

導入

Atmel AT24C02D-SSHM-Tのフラッシュ・メモリの破片はプログラム可能読み取り専用メモリを一般使用

記述

Atmel® AT24C01D/02Dは消去可能な連続のビット1,024/2,048の電気で提供し、プログラム可能読み取り専用メモリ(EEPROM)は8ビットのワード128/256のとしてそれぞれ組織した。装置のcascadable特徴は8つまでの装置が共通の2ワイヤー バスを共有するようにする。これらの装置はローパワーおよび低電圧操作が必要である多くの産業および商用アプリケーションの使用のために最大限に活用される。装置は両方ともスペース節約の8鉛SOICの8鉛TSSOPの8パッドUDFNの8鉛PDIP (1)、5鉛SOT23、および8ボールVFBGAのパッケージで利用できる。パッケージの全体の系列は1.7Vから3.6Vに作動する。

特徴
の低電圧操作
̶ 1.7V (VCC = 1.7Vへの3.6V)
内部的には128 x 8 (1K)または256 x 8組織した(2K)
I2
C互換性がある(2ワイヤー)シリアル・インタフェース
̶ 100kHzの標準的なモード、1.7Vへの3.6V
̶ 400kHzの速いモード、1.7Vへの3.6V
̶ 1MHz速いモード プラス(FM+)、2.5Vへの3.6V
のSchmittの制動機、騒音の抑制のためのろ過された入力
の二方向のデータ転送の議定書
は完全な配列ハードウェア データ保護のためのPinを書込み禁止にする
の超低く活動的な流れ(最高1mA)およびスタンバイの流れ(最高0.8μA)
8バイトのページはライト・モードを
̶の部分的なページは割り当てられて書く
の任意および順次読まれたモード
自己時限は最高5ms内の周期を書く
の高い信頼性
̶の持久力:1,000,000周期を書きなさい
̶データ保持:100年
の緑のパッケージの選択(迎合的な無鉛/ハロゲン化物free/RoHS)
̶の8鉛SOICの8鉛TSSOPの8パッドUDFNの8鉛PDIP (1)、5鉛SOT23、
8ボールVFBGA
は選択販売の死ぬ:ウエファーの形態およびテープおよび巻き枠

AT24C01Dは8バイトの16ページそれぞれとして内部的にAT24C02Dが8バイトの32ページそれぞれとして組織される間、組織される。

在庫の規則的な項目、:

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