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512Kb記憶容量のフラッシュ・メモリの破片CAT24C512WI-GT3 EERPOM連続I2Cインターフェイス

メーカー:
製造者
記述:
EEPROMの記憶IC 512Kbit I ² C 1 MHz 900 ns 8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
シリーズ:
SOIC-8 EEPROM I2Cの連続
電圧:
1.8 Vから5.5ボルト
特徴:
低い電力CMOSの技術
記憶容量:
512Kb (64K X 8)
適用:
LCDのモニター、フラット パネルTVのプリンター、GPS、エムピー・スリー
パッケージ:
SOP8
速度を書くこと:
標準(100つのkHz)、速い(400のkHz)およびFast−Plus (1つのMHz) I2Cの議定書を支える
インターフェイス:
EERPOM連続I2C
ハイライト:

serial flash memory

,

flash memory ic chip

導入

CAT24C512WI-GT3フラッシュ・メモリの破片SOIC-8 EEPROM I2C連続512Kb

記述
CAT24C512は内部的に連続512−Kb I2Cが8ビットの65,536ワードそれぞれとして組織したEERPOMである。それは緩衝を書くために128−byteページを特色にし、標準(100つのkHz)、速い(400のkHz)およびFast−Plus (1つのMHz) I2Cの議定書を支える。操作をWPピン最高の取得によって禁じることができる書きなさい(これは全体の記憶を保護する)。外的な住所ピンは同じバスの8つまでのCAT24C512装置に演説することを可能にする。On−Chip ECC (エラー修正 コード)は装置を高い信頼性の適用のために適したようにする。
特徴
•標準的で、速いおよびFast−Plus I2Cの議定書を支える
•1.8 Vから5.5ボルトの供給電圧の範囲
•128−Byteページは緩衝を書く
•ハードウェアは全体の記憶のために保護を書く
•I2Cバス入力のSchmittの制動機および騒音の抑制フィルター(SCLおよびSDA)
•低い電力CMOSの技術
•1,000,000のプログラム/消去周期
•100年データ保持
•産業および延長温度較差
•8−pin、SOIC、TSSOP、8−pad UDFNおよび8−ball WLCSPのパッケージ
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

適用

産業、コミュニケーション及びネットワーキング

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