SST26VF032B-104I/MFのフラッシュ・メモリの破片ICのマイクロ32のMbitの低い電力の消費
メーカー:
製造者
記述:
フラッシュ・メモリIC 32Mbit SPI -クォード入力/出力104 MHz 8-WDFN （5x6）
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
シリーズ:
SST26VF032B
電圧:
2.7-3.6Vか2.3-3.6V
特徴:
速い消去の時間
記憶容量:
32Mビット
適用:
LCDのモニター、フラット パネルTVのプリンター、GPS、エムピー・スリー
パッケージ:
SOIC8 DIP8
クロック周波数:
80/104のMHzの高速
インターフェイス:
連続クォード入力/出力（SQI）
ハイライト:
serial flash memory
,serial flash chip
導入
SST26VF032B-104I/MFのフラッシュ・メモリの破片ICのマイクロチップ32のMbitの低い電力の消費
概説
フラッシュ記憶装置の連続クォードI/O™ （SQI™）の系列は6ワイヤー、低いピン計算のパッケージのローパワーの、高性能操作を可能にする4ビット入力/出力インターフェイスを特色にする。SST26VF032B/032BAはまた従来の連続周辺機器インターフェイス（SPI）の議定書に完全な命令セットの両立性を支える。SQIの抜け目がない装置を使用してシステム設計はより少ない板スペースを最終的にシステム費用を下げるために占め。
26のシリーズのすべてのメンバー、SQI家族は専有の、高性能CMOS SuperFlash®の技術と製造される。割れ目ゲートの細胞の設計および厚酸化物のトンネルを掘る注入器は互い違いのアプローチと比較されるよりよい信頼性およびmanufacturabilityを達成する。
SST26VF032B/032BAはかなりパワー消費量を下げている間性能および信頼性を改善する。これらの装置は（プログラムか消去）書く2.3-3.6Vの単一の電源と。消費される総合エネルギーは適用の応用電圧、現在、および時の機能である。その後ある特定の電圧範囲のために、SuperFlashの技術はプログラムにより少なく現在を使用し、より短い消去のひととき、あらゆる消去の間に消費される総合エネルギーを過ごすまたはプログラム操作は代わりとなるフラッシュ・メモリの技術よりより少なくある。
特徴
•単一の電圧読書および操作を書くため
- 2.7-3.6Vか2.3-3.6V
•シリアル・インタフェースの建築
- SPIそっくりの連続の少量全体の多重型にされた入力/出力
コマンド構造
- モード0およびモード3
- x1/x2/x4連続周辺機器インターフェイス（SPI）の議定書
•高速クロック周波数
- 2.7-3.6V:104のMHz最高
- 2.3-3.6V:80のMHz最高
•バースト方式
- 連続的な線形破烈
- 覆いとの8/16/32/64のバイトの線形破烈
•優秀な信頼性
- 持久力:100,000の周期（分）
- 保持100年以上データ
•低い電力の消費:
- 能動態は現在を読んだ:15 mA （典型的な@ 104のMHz）
- スタンバイの流れ:15 µA （典型的な）
•速い消去の時間
- セクター/ブロックの消去:18氏（タイプ）、25氏（最高）
- 破片の消去:35氏（タイプ）、50氏（最高）
•ページ プログラム
- x1かx4モードのページごとの256バイト
•検出を終りの書きなさい
- 状態の記録の使用中ビットを投票するソフトウェア
•適用範囲が広い消去の機能
- 均一4つのKバイトのセクター
- 4 8 Kバイトの上および最下変数上敷
ブロック
- 1つの32 Kバイトの上および最下の上にあられたブロック
- 均一64 Kバイトはブロックの上にあった
•書中断しなさい
- アクセスするためにプログラムまたは消去操作を中断しなさい
別のブロック/セクター
•ソフトウェア調整（RST）モード
•ソフトウェアは保護を書く
- 個々ブロックはパーマの保護を書く
ロック式の機能
- 64のKバイトのブロック、2つの32のKバイトのブロック、
8つの8つのKバイト変数ブロック
- 上および下の8 Kバイトの読まれた保護
変数ブロック
•保証ID
- 一度だけのプログラム可能な（OTP） 2 Kバイト、安全なID
- 独特な64ビット工場によって前処理プログラムを作成される鑑定器
- ユーザー プログラム可能な区域
•温度較差
- 産業:-40°Cへの+85°C
- 延長:-40°Cへの+105°C
•利用できるパッケージ
- 8接触WDFN （6mm x 5mm）
- 8鉛SOIJ （5.28 mm）
- 24ボールTBGA （6mm x 8mm）
•すべての装置は迎合的なRoHSである
SST26VF032B/032BA SQIの記憶配列はユニフォーム、次の消去可能なブロックが付いている4つのKバイトの消去可能なセクターで組織される:8つ8 Kバイト変数、2つ32 Kバイトの上敷、および六十二の64 Kバイトはブロックの上にあった
CM GROUPの余分な目録:
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SST26VF032BAT-104I/MF
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