16 Mbit SPIの適用範囲が広い消去の機能の連続フラッシュ・メモリの破片IC SST25VF016B
メーカー:
製造者
記述:
フラッシュ・メモリIC 16Mbit SPI 50 MHz 8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
シリーズ:
SST25VF016B
電圧:
2.7-3.6V
特徴:
SPIのフラッシュ・メモリ
記憶容量:
16Mビット
適用:
LCDのモニター、フラット パネルTVのプリンター、GPS、エムピー・スリー
パッケージ:
SOIC8
クロック周波数:
50までのMHz
インターフェイス:
SPIの連続フラッシュ
ハイライト:
serial flash memory
,serial flash chip
導入
16 Mbit SPIの適用範囲が広い消去の機能の連続フラッシュ・メモリの破片ICのマイクロチップSST25VF016B
概説
25のシリーズ連続抜け目がない家族はより少ない板スペースを占め、最終的にトータル システムの費用を下げる低いピン計算のパッケージを可能にする四線式、SPI互換性があるインターフェイスを特色にする。SST25VF016B装置は改善された動作周波数および元のSST25VFxxxA装置より低い電力の消費と高められる。
SST25VF016B SPIの連続フラッシュ・メモリは専有の、高性能CMOS SuperFlashの技術と製造される。割れ目ゲートの細胞の設計および厚酸化物のトンネルを掘る注入器は互い違いのアプローチと比較されるよりよい信頼性およびmanufacturabilityを達成する。SST25VF016B装置はかなりパワー消費量を下げている間性能および信頼性を改善する。
装置は（プログラムか消去）書くSST25VF016Bのために2.7-3.6Vの単一の電源と。消費される総合エネルギーは適用の応用電圧、現在、および時の機能である。その後ある特定の電圧範囲のために、SuperFlashの技術はプログラムにより少なく現在を使用し、より短い消去のひととき、あらゆる消去の間に消費される総合エネルギーを過ごすまたはプログラム操作は代わりとなるフラッシュ・メモリの技術よりより少なくある。
特徴
•単一の電圧読書および操作を書くため
- 2.7-3.6V
•シリアル・インタフェースの建築
- 互換性があるSPI:モード0およびモード3
•高速クロック周波数
- 50までのMHz
•優秀な信頼性
- 持久力:100,000の周期（典型的）
- 保持100年以上データ
•低い電力の消費:
- 活動的な読まれた流れ:10 mA （典型的）
- スタンバイの流れ:5 µA （典型的な）
•適用範囲が広い消去の機能
- 均一4つのKバイトのセクター
- 均一32 Kバイトはブロックの上にあった
- 均一64 Kバイトはブロックの上にあった
•速い消去およびバイト プログラム:
- 破片消去の時間:35氏（典型的な）
- セクター/Block消去の時間:18氏（典型的な）
- バイト プログラム時間:7つのµs （典型的な）
•自動住所増分（AAI）のプログラミング
- バイト プログラム操作上の減少合計の破片のプログラミングの時間
•検出を終りの書きなさい
- 状態の記録の使用中ビットを投票するソフトウェア
- そうAAIモードのピンの使用中の状態の読み出し
•把握Pin （HOLD#）
- 装置を選択解除しないで記憶に連続順序を中断する
•書きなさい保護（WP#）を
- 状態の記録のロック式機能を有効または無効にする
•ソフトウェアは保護を書く
- 状態の記録にブロック保護ビットを通して保護を書きなさい
•温度較差
- コマーシャル:0°Cへの+70°C
- 産業:-40°Cへの+85°C
•利用できるパッケージ
- 8鉛SOIC （200ミル）
- 8接触WSON （6mm x 5mm）
•すべての装置は迎合的なRoHSである
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