統合されたEEPROM超低い力のマイクロ制御回路STM8L051F3P6TR TSSOP20パッケージ
microcontroller ic
,mcu microcontroller unit
STM8L051F3P6TR MCUは超低い力8ビットMCUを、統合したEEPROMを欠く
STM8L051F3はSTM8Lの超低力のマイクロ制御回路破片8ビット家族のメンバーである。
記述:
STM8L051F3破片はローパワー操作に改善されたコード密度、24ビット線形アドレス空間および最大限に活用された建築を高められたパワー処理(16のMHzの16までのMIPS)にCISCの建築の利点を維持している間与える高められたSTM8 CPUの中心を特色にする。
STM8L051F3 MCUの破片は統合されたのデバッグする妨害的でない内部適用ダバッギングおよび超高速の抜け目がないプログラミングを可能にするハードウエア インタフェース(水泳)が付いているモジュールを含んでいる。それは埋め込まれたデータEEPROMをおよびローパワー、低電圧、単一供給プログラム フラッシュ・メモリ特色にする。
装置は高められたI/Osの広範な範囲をおよびペリフェラル、12ビットADC、SPI、I2Cインターフェイスおよび1 USARTのような実時間時計、2人の16ビットのタイマー、1つの8ビット タイマー、また標準的な通信用インタフェース織込んでいる。
周辺セットのモジュール設計はこの装置が32ビット家族を含む異なったSTのマイクロ制御回路家族で見つけることができる同じペリフェラルを備えるようにする。これは別の家族への転移を非常に容易に、共通の一組の開発ツールの使用によってまた支えられてする。
主要特点
- 作動条件
- 作動の電源:1.8 Vから3.6ボルトの温度較差:−40 °Cへの85 °C
- ローパワー特徴
- 5つのローパワー モード:待ち時間、ローパワー操業(5.1 μA)、ローパワー待ち時間(3 μA)、RTC (1.3 μA)の活動的停止、停止(350 nA)
- 入力/出力ごとの超低い漏出:50 nA
- 停止からの速い目覚し:5つのμs
- 高度STM8中心
- ハーバード建築および3段階のパイプライン
- 最高のfreq:16のMHzは、16のCISCのMIPS最高になる
- 40までの外部割込み機構の源
- 調整および補給管理
- 低い電力、5つの選択可能な境界とのultra-safe BORの調整
- 超低い力POR/PDR
- プログラム可能な電圧探知器(PVD)
- 時計管理
- 32のkHzおよび1つから16のMHzの水晶発振子
- 内部16のMHzによって工場整えられるRC
- 低い消費内部38のkHzのRC
- 時計のセキュリティ システム
- ローパワーRTC
- 警報割り込みのBCDのカレンダー
- +/- 0.5 PPMの正確さのデジタル口径測定
- LSEのセキュリティ システム
- 周期的な割り込みの停止からの自動目覚し
- 記憶
- ECCのデータEEPROMの抜け目がないプログラム記憶そして256バイトの8 Kバイト
- 適用範囲が広い保護モードを読むために書けば
- RAMの1 Kバイト
- DMA
- ADC、SPI、I2C、USARTのタイマーを支える4つのチャネル
- 記憶に記憶のための1つのチャネル
- 12ビットADC 1までMsps/10チャネル
- 内部参照の電圧
- タイマー
- 2つのチャネル(IC、OC、PWMとして使用される)、求積法のエンコーダーが付いている2つの16ビットのタイマー
- 7ビットprescalerが付いている1つの8ビット タイマー
- 2頭の番犬:1つの窓、独立した1
- 1つ、2つか4つのkHzの頻度の携帯呼出器のタイマー
- 通信用インタフェース
- 同期シリアル・インタフェース(SPI)
- 速いI2C 400 kHz SMBusおよびPMBus
- USART
- 18までI/Osの割り込みベクタのすべてのmappable
- 開発サポート
- 水泳の速いオン破片のプログラミングおよび妨害的でないダバッギング
- USARTを使用してブート・ローダ
すべての価値ラインSTM8Lの超低力のプロダクトとしてSTM8L051F3は同じに記憶地図を描くことおよび凝集性のpinoutとの同じ建築に基づいている。
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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