MSP430F2013IPWR MSP430F2132IRHR MSP430F2350IRHAR MSP430F413IPMR MSP430F4152IPMRのマイクロ制御回路集積回路
semiconductor integrated circuit
,pic microcontroller circuit
MSP430F2013IPWR MSP430F2132IRHR MSP430F2350IRHAR MSP430F413IPMR MSP430F4152IPMRのマイクロ制御回路集積回路
特徴
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低い供給電圧の範囲1.8 Vから3.6ボルト
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超低いパワー消費量
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–アクティブ・モード:1つのMHz、2.2ボルトの220 μA
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–待機モード:0.5のμA
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–モード（RAMの保持）:0.1のμA
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5つのパワー セービング モード
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1以下μsの待機モードからの超高速の目覚し
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16ビットRISCの建築、62.5 ns命令サイクルの時間
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基本的なクロック・モジュール構成:
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–内部頻度±1%への4つの目盛りを付けられた頻度の16までのMHz
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–内部まさにローパワー低頻度の発振器
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– 32 kHz水晶
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–外的なデジタル時計の源
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2つの捕獲の16ビットのTimer_Aは/記録を比較する
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アナログ信号のためのオン破片のコンパレーターは比較する機能か斜面A/D （MSP430F20x1）を
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内部参照、Sample-and-Hold、およびAutoscan （MSP430F20x2）の10ビット200-ksps A/Dコンバーター
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差動PGAの入力および内部参照（MSP430F20x3）の16ビットのシグマ デルタA/Dのコンバーター
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普遍的なシリアル・インタフェース（USI）支持SPIおよびI2C （MSP430F20x2およびMSP430F20x3）
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節電の探知器
•連続機内プログラミングの必要とされる外的なプログラミングの電圧無し保証ヒューズによるプログラム可能なコード保護
•スパイBiワイヤー インターフェイスとのオン破片の模範化の論理
•家族:– MSP430F2001
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– 1KB + 256Bフラッシュ・メモリ
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– 128B RAM – MSP430F2011
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– 2KB + 256Bフラッシュ・メモリ
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– 128B RAM – MSP430F2002
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– 1KB + 256Bフラッシュ・メモリ
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– 128B RAM – MSP430F2012
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– 2KB + 256Bフラッシュ・メモリ
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– 128B RAM – MSP430F2003
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– 1KB + 256Bフラッシュ・メモリ
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– 128B RAM – MSP430F2013
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– 2KB + 256Bフラッシュ・メモリ
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– 128B RAM
•（PDIP）、および16 Pin QFN 14 Pinプラスチック小型輪郭の薄いパッケージ（TSSOP）、14 Pinプラスチック二重インライン パッケージで利用できる
•完全なモジュールの記述のために、見なさいMSP430x2xx家族のユーザーズ ガイド（SLAU144）を
記述
超低力のマイクロ制御回路のテキサス・インスツルメントMSP430の系列はさまざまな適用のために目標とされるペリフェラルの異なったセットを特色にする複数の装置から成っている。5つのローパワー モードと結合される建築は携帯用測定の適用の延長電池の寿命を達成するために最大限に活用される。装置は最高コード効率に貢献する強力な16ビットRISC CPU、16ビットの記録をおよび一定した発電機を特色にする。ディジタル式の発振器（DCO）はローパワー モードからの1以下μsのアクティブ・モードに目覚しを可能にする。
MSP430F20xxシリーズは作り付けの16ビットのタイマーおよび10の入力/出力ピンが付いている超低力の複雑な兆候のマイクロ制御回路である。さらに、MSP430F20x1に多目的なアナログのコンパレーターがある。MSP430F20x2におよびMSP430F20x3に作り付けコミュニケーション機能があり同期プロトコル（SPIかI2C）および10ビットA/Dコンバーター（MSP430F20x2）または16ビットのシグマ デルタA/Dのコンバーター（MSP430F20x3）を使用する。
表1.の利用できる選択（1）
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TA |
包まれた装置（2） |
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プラスチック14-PIN TSSOP （PW） |
プラスチック14-PINすくい（N） |
プラスチック16-PIN QFN （RSA） |
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-40°Cへの85°C |
MSP430F2001IPW MSP430F2011IPW MSP430F2002IPW MSP430F2012IPW MSP430F2003IPW MSP430F2013IPW |
MSP430F2001IN MSP430F2011IN MSP430F2002IN MSP430F2012IN MSP430F2003IN MSP430F2013IN |
MSP430F2001IRSA MSP430F2011IRSA MSP430F2002IRSA MSP430F2012IRSA MSP430F2003IRSA MSP430F2013IRSA |
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-40°Cへの105°C |
MSP430F2001TPW MSP430F2011TPW MSP430F2002TPW MSP430F2012TPW MSP430F2003TPW MSP430F2013TPW |
MSP430F2001TN MSP430F2011TN MSP430F2002TN MSP430F2012TN MSP430F2003TN MSP430F2013TN |
MSP430F2001TRSA MSP430F2011TRSA MSP430F2002TRSA MSP430F2012TRSA MSP430F2003TRSA MSP430F2013TRSA |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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