MSP430F1232IDWR MSP430F1232IPWR MSP430F135IPMR MSP430F149IPMR MSP430F169IPMのマイクロ制御回路集積回路
semiconductor integrated circuit
,pic microcontroller circuit
MSP430F1232IDWR MSP430F1232IPWR MSP430F135IPMR MSP430F149IPMR MSP430F169IPMのマイクロ制御回路集積回路
特徴
Dの低い供給電圧の範囲1.8 Vから3.6ボルト
Dの超低力の消費:
−のアクティブ・モード:1つのMHzの2.2ボルトの−の待機モードの200 μA:0.7のμA
モード（RAMの保持）を離れた−:0.1のμA
D 5の節電モード
より少なく待機モードから目覚しD
6つのμsより
D 16ビットRISCの建築、125 ns
命令サイクルの時間
Dの基本的なクロック・モジュール構成:−のさまざまな内部抵抗器
−の単一の外的な抵抗器
− 32 kHzの水晶
−の高周波水晶−の共鳴器
−の外的な時計の源
3つの捕獲のD 16ビットのTimer_Aは/記録を比較する
内部参照のD 10ビット、200-ksps A/Dのコンバーター、Sample-and-Hold、Autoscanおよびデータ コントローラーを転送
ソフトウェア選択可能な非同期UARTまたは同期SPIのDのシリアル通信 インターフェイス（USART0）
（唯一のMSP430x12x2）
プログラミングの上のDの連続、
保証ヒューズによる外的なプログラミングの電圧必要でプログラム可能なコード保護無し
Dの供給電圧の節電の保護
D MSP430x11x2の家族は下記のものを含んでいる:
MSP430F1122:
MSP430F1132:
4KB + 256Bフラッシュ・メモリ256BのRAM
8KB + 256Bフラッシュ・メモリ256BのRAM
20 PinプラスチックSOWB、20 Pinで利用できる
プラスチックTSSOPおよび32 Pin QFNのパッケージD MSP430x12x2の家族は下記のものを含んでいる:
MSP430F1222:MSP430F1232:
4KB + 256Bフラッシュ・メモリ256BのRAM
8KB + 256Bフラッシュ・メモリ256BのRAM
および32 Pin QFNの28 PinプラスチックSOWB、28 PinプラスチックTSSOPで利用できるパッケージ
完全なモジュールの記述のためのDは、MSP430x1xx家族のユーザーズ ガイド、文献数SLAU049を見る
記述
超低力のマイクロ制御回路のテキサス・インスツルメントMSP430の系列はさまざまな適用のために目標とされるペリフェラルの異なったセットを特色にする複数の装置から成っている。5つの低い電力モードと結合される建築は携帯用測定の適用の延長電池の寿命を達成するために最大限に活用される。装置は最高コード効率に帰因する強力な16ビットRISC CPU、16ビットの記録をおよび一定した発電機を特色にする。ディジタル式の発振器（DCO）はローパワー モードからの6μsよりより少しのアクティブ・モードに目覚しを可能にする。
MSP430x11x2およびMSP430x12x2シリーズは作り付けの16ビットのタイマーが付いている超低力の複雑な兆候のマイクロ制御回路、統合された参照およびデータ転送のコントローラー（DTC）が付いている10ビットA/Dコンバーターおよび14か22の入力/出力ピンである。さらに、MSP430x12x2シリーズ マイクロ制御回路に作り付けコミュニケーション機能の非同期の使用の（UART）および同期（SPI）議定書がある。
16ビットRISCの性能とのデジタル信号処理は信号の分析のガラス破損検出のような有効システムの解決を可能にする（を含む波デジタル フィルター アルゴリズム）。適用のもう一つの区域は独立RFセンサーにある。
それにテキサス・インスツルメントの半導体製品および放棄の重大な適用の供給、標準的な保証および使用に関する重要な通知がこのデータ用紙の端に現われることわかっていてであって下さい。
生産のデータ情報は刊行日付現在に現在である。版権のの2002年の−はテキサス・インスツルメントの言葉ごとの指定に2004年、テキサス・インスツルメント プロダクトを合致する組み込んだ
標準的な保証。生産の処理は必ずしも含んでいない
すべての変数のテスト。
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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