SI7461DP-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
メーカー:
製造者
記述:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
1V
ID -連続的な下水管の流れ:
14.4のA
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
60ボルト
Vgs -ゲート源の電圧:
10ボルト
Qg -ゲート充満:
121 NC
Pd -電力損失:
5.4 W
ハイライト:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
SI7461DP-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
特徴
- TrenchFET®力のMOSFETs
- 物質的な類別:
承諾の定義のためにwww.vishay.com/doc?99912を見なさい
|
プロダクト概要 |
||
|
VDS （v） |
RDS （） （） |
ID （a） |
|
-60 |
0.0145のVGS = -10ボルト |
-14.4 |
|
0.0190のVGS = -4.5ボルト |
-12.6 |
|
|
絶対最高評価（通知がなければTA = 25 °C、） |
|||||
|
変数 |
記号 |
10 s |
定常 |
単位 |
|
|
下水管源の電圧 |
VDS |
-60 |
V |
||
|
ゲート源の電圧 |
VGS |
± 20 |
|||
|
連続的な下水管の流れ（TJ = 150 °C） a |
TA =25°C |
ID |
-14.4 |
-8.6 |
|
|
TA =70°C |
-11.5 |
-6.9 |
|||
|
脈打った下水管の流れ |
IDM |
-60 |
|||
|
連続的なソース電流（ダイオードの伝導） a |
ある |
-4.5 |
-1.6 |
||
|
なだれの流れ |
L = 0.1 mH |
IAS |
50 |
||
|
単一の脈拍のなだれエネルギー |
EAS |
125 |
mJ |
||
|
最高の電力損失a |
TA =25°C |
PD |
5.4 |
1.9 |
W |
|
TA =70°C |
3.4 |
1.2 |
|||
|
作動の接続点および保管温度の範囲 |
TJ、Tstg |
-55から+150 |
°C |
||
|
はんだ付けする推薦（ピーク温度） b、c |
260 |
||||
|
熱抵抗の評価 |
|||||
|
変数 |
記号 |
典型的 |
最高 |
単位 |
|
|
最高の接続点に包囲されたa |
tの10 s |
RthJA |
18 |
23 |
°C/W |
|
定常 |
52 |
65 |
|||
|
最高の接続点に場合（下水管） |
定常 |
RthJC |
1 |
1.3 |
|
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