SI4425DDY-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 30 V 19.7A （Tc） 2.5W （Ta）、5.7W （Tc）表面の台紙8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
製造業者:
VISHAY
製品カテゴリ:
MOSFET
技術:
Si
様式の取付け:
SMD/SMT
パッケージ/場合:
SO-8
チャネルの数:
1つのチャネル
ハイライト:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
SI4425DDY-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
特徴
- IEC 61249-2-21定義に従ってハロゲンなし
-
TrenchFET®力MOSFET
-
テストされる100% Rg
適用
•負荷スイッチ
- ノートのPC
- デスクトップ パソコン
|
プロダクト概要 |
|||
|
VDS （v） |
RDS （） （Ω） |
ID （A） a |
Qg （タイプ。） |
|
- 30 |
0.0098のVGS = 10ボルト |
- 19.7 |
27 NC |
|
0.0165のVGS = 4.5ボルト |
- 15.2 |
||
|
通知がなければ絶対最高評価TA = 25 °C、 |
||||
|
変数 |
記号 |
限界 |
単位 |
|
|
下水管源の電圧 |
VDS |
- 30 |
V |
|
|
ゲート源の電圧 |
VGS |
± 20 |
||
|
連続的な下水管の流れ（TJ = 150 °C） |
TC =25°C |
ID |
- 19.7 |
|
|
TC =70°C |
- 15.7 |
|||
|
TA = 25 °C |
- 13b、c |
|||
|
TA = 70 °C |
- 10.4b、c |
|||
|
脈打った下水管の流れ |
IDM |
- 50 |
||
|
連続的な源下水管のダイオード流れ |
TC =25°C |
ある |
- 4.7 |
|
|
TA = 25 °C |
- 2.1b、c |
|||
|
最高の電力損失 |
TC =25°C |
PD |
5.7 |
W |
|
TC =70°C |
3.6 |
|||
|
TA = 25 °C |
2.5b、c |
|||
|
TA = 70 °C |
1.6b、c |
|||
|
作動の接続点および保管温度の範囲 |
TJ、Tstg |
- 55から150 |
°C |
|
|
熱抵抗の評価 |
|||||
|
変数 |
記号 |
典型的 |
最高 |
単位 |
|
|
接続点にAmbientb最高、d |
tの≤ 10 s |
RthJA |
35 |
50 |
°C/W |
|
最高の接続点にフィート（下水管） |
定常 |
RthJF |
18 |
22 |
|
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