CSD87381P Mosfet力トランジスターMOSFETの同時性の木びき台のNexFET PwrのブロックII
指定
包装:
テープを切りなさい
高さ:
0.48 mm
長さ:
3つのmm
幅:
2.5 MM
トランジスター タイプ:
2 Nチャンネル
前方相互コンダクタンス-分:
40 S、89 S
ハイライト:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
CSD87381P Mosfet力トランジスターMOSFETの同時性の木びき台のNexFET PwrのブロックII
1特徴
- 半橋力ブロック
-
10時Aの90%のシステム効率
-
15まで操作
-
高密度– 3 × 2.5 mm LGAの足跡
-
二重側面の冷却の機能
-
超低いプロフィール– 0.48 mm最高
-
5ボルトのゲート ドライブのために最大限に活用される
-
低い転換の損失
-
低いインダクタンス パッケージ
-
迎合的なRoHS
-
自由なハロゲン
-
自由なPb
2つの適用
•同期木びき台のコンバーター
–高い現在、低い使用率の塗布
-
多相同期木びき台のコンバーター
-
ポールDC-DCのコンバーター
3記述
CSD87381P NexFETTM力ブロックIIは小さい3つのmmの×の高い現在および高性能の機能を提供する同期木びき台の塗布のための高度に最適化された設計2.5 mmの輪郭である。5つのVのゲート ドライブ塗布のために最大限に活用されて、このプロダクトは外的なコントローラー/運転者からのあらゆる5 Vゲートの運転者と組み合わせられたとき高密度電源を提供することができる有効で、適用範囲が広い解決を提供する。
装置情報
装置 |
媒体 |
Qty |
パッケージ |
船 |
CSD87381P |
13インチの巻き枠 |
2500 |
3 × 2.5 LGA |
テープおよび巻き枠 |
CSD87381PT |
7インチの巻き枠 |
250 |
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