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CSD87333Q3D Mosfet力トランジスターMOSFETの高い使用率の同時性の木びき台NexFET

メーカー:
製造者
記述:
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Contact us
支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
製造業者:
テキサス・インスツルメント
製品カテゴリ:
MOSFET
トランジスター極性:
N-Channel
チャネルの数:
2チャネル
ID -連続的な下水管の流れ:
15 A
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
1.2 V
ハイライト:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

導入

CSD87333Q3D Mosfet力トランジスターMOSFETの高い使用率の同時性の木びき台NexFET

1特徴

  • 半橋力ブロック
  • High-Duty周期のために最大限に活用される

  • Upto24Vin

  • 94.7% 8時Aのシステム効率

  • 1.5WPLoss at8A

  • 15-A操作まで

  • 高周波操作(1.5までMHz)

  • 高密度息子3.3 mmの× 3.3 mmの足跡

  • 5-Vゲート ドライブのために最大限に活用される

  • 低切換えの損失

  • 超低いインダクタンス パッケージ

  • 迎合的なRoHS

  • 自由なハロゲン

  • 無鉛末端のめっき

2つの適用

  • 同期木びき台のコンバーター

    • –高周波適用

    • – High-Duty周期の塗布

  • 同期倍力コンバーター

  • ポールDC-DCのコンバーター

3記述

CSD87333Q3D NexFETTM力ブロックは小さい3.3 mm × 3.3 mmの輪郭の同期木びき台および倍力塗布の提供のhigh-current、高性能の、および高周波機能のための最大限に活用された設計である。5-Vゲート ドライブ塗布のために最大限に活用されて、このプロダクトは外的なコントローラーか運転者と組み合わせられたときhigh-duty周期の塗布の適用範囲が広い解決を提供する。

装置情報

装置

媒体

QTY

パッケージ

CSD87333Q3D

13インチの巻き枠

2500

息子3.30 mmの× 3.30 mmのプラスチック パッケージ

テープおよび巻き枠

CSD87333Q3DT

7インチの巻き枠

250

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