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CSD17556Q5B Mosfet力トランジスターMOSFET 30V N CH NexFET力のMOSFETs

メーカー:
製造者
記述:
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Contact us
支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
Pd -電力損失:
3.1 W
構成:
単一
高さ:
1つのmm
長さ:
6つのmm
ハイライト:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

導入

CSD17556Q5B Mosfet力トランジスターMOSFET 30V N CH NexFET力のMOSFETs

1特徴

  • 極端に低い抵抗
  • 超低いQgおよびQgd

  • 低熱抵抗

  • 評価されるなだれ

  • 無鉛末端のめっき

  • 迎合的なRoHS

  • 自由なハロゲン

  • 息子5 mmの× 6 mmのプラスチック パッケージ

2つの適用

  • ネットワーキング、電気通信および計算機システムの負荷同期木びき台のポイント

  • 同期改正

  • 活動的なOリングおよびホット スワップ塗布

3記述

この30-V、1.2-mΩ、5 mm × 6 mm NexFETTM力MOSFETは同期改正および他の力転換の適用の損失を最小にするように設計されている。

プロダクト概要

TA = 25°C

典型的な価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

30

V

Qg

ゲート充満合計(V) 4.5

30

NC

Qgd

ゲート充満ゲートに下水管

7.5

NC

RDS ()

下水管に源のオン抵抗

VGS = 4.5ボルト

1.5

VGS =10V

1.2

VGS (Th)

境界の電圧

1.4

V

装置情報

装置

QTY

媒体

パッケージ

CSD17556Q5B

2500

13インチの巻き枠

息子5.00 mmの× 6.00 mmのプラスチック パッケージ

テープおよび巻き枠

CSD17556Q5BT

250

絶対最高評価

TA = 25°C

価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

30

V

VGS

ゲートに源の電圧

±20

V

ID

連続的な下水管の流れ(限られるパッケージ)

100

連続的な下水管の流れ(限られるケイ素)、TC = 25°C

215

連続的な下水管の流れ(1)

34

IDM

脈打った下水管の流れ、TA = 25°C (1) (2)

400

PD

電力損失(1)

3.1

W

電力損失、TC = 25°C

191

TJ、Tstg

作動の接続点、保管温度

– 55から150

°C

EAS

なだれエネルギー、単一の脈拍ID =100A、L=0.1mH、RG =25Ω

500

mJ

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