CSD16556Q5B Mosfet力トランジスターMOSFET 25V NexFET N CH Pwr MosFET
メーカー:
製造者
記述:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
Rdsのオン下水管源の抵抗:
1.2のmOhms
上昇時間:
34 ns
落下時間:
13 ns
製品タイプ:
MOSFET
典型的なTurn-On遅れ時間:
17 ns
典型的なTurn-Off遅れ時間:
25 ns
ハイライト:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
CSD16556Q5B Mosfet力トランジスターMOSFET 25V NexFET N CH Pwr MosFET
1特徴
- 極端に低い抵抗
超低いQgおよびQgd
低い熱抵抗
評価されるなだれ
Pbの自由な末端のめっき
迎合的なRoHS
自由なハロゲン
息子5 mmの× 6 mmのプラスチック パッケージ
2つの適用
ネットワーキング、電気通信および計算機システムのポイントの負荷同期木びき台
同期FETの塗布のために最大限に活用される
3記述
この25のVはの0.9のmΩ、5 × 6つのmmの息子のNexFETTM力MOSFET同期改正および他の力転換の適用の損失を最小にするように設計されている。
絶対最高評価
TA = 25°C | 典型的な価値 | 単位 | ||
VDS | 下水管に源の電圧 | 25 | V | |
Qg | ゲート充満合計（V） 4.5 | 36 | NC | |
Qgd | ゲート充満ゲートに下水管 | 12 | NC | |
RDS （） | 下水管に源のオン抵抗 | VGS = 4.5ボルト | 1.2 | mΩ |
VGS =10V | 0.9 | mΩ | ||
VGS （Th） | 境界の電圧 | 1.4 | V | |
装置 | 媒体 | Qty | パッケージ | 船 |
CSD16556Q5B | 13インチの巻き枠 | 2500 | 息子5つx 6つのmmのプラスチック パッケージ | テープおよび巻き枠 |
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