STP55NF06 Mosfet力トランジスターMOSFET N CH 60ボルト55のAmp
メーカー:
製造者
記述:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
Rdsのオン下水管源の抵抗:
18のmOhms
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
2ボルト
Vgs -ゲート源の電圧:
10ボルト
Qg -ゲート充満:
44.5 NC
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 175 C
ハイライト:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
STP55NF06 Mosfet力トランジスターMOSFET N CH 60ボルト55のAmp
特徴
| オーダー コード | VDSS | 最高RDS （）。 | ID |
| STB55NF06 | 60ボルト | < 0=""> | 50 A |
| STP55NF06 | |||
| STP55NF06FP |
1. Rthの価値がFPタイプの原因での最高の正当な現在の値のためのsoaを参照しなさい
- 100%のなだれはテストした
- 例外的なdv/dtの機能
適用
- 転換の適用
記述
これらの力のMOSFETsはSTMicroelectronicsの入力キャパシタンスおよびゲート充満を最小にするようにとりわけ設計されている独特なSTripFETプロセスを使用して発達した。これは装置電気通信およびコンピュータ利用技術のための高度の高性能の隔離されたDC- DCのコンバーターの第一次スイッチとして使用のために適した、および条件を運転する低いゲート充満との適用をする。
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