超高速MURS320T3G Mosfet力トランジスター整流器200V 3A
メーカー:
製造者
記述:
ダイオード200 V 3Aの表面の台紙SMC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
製造業者のキット:
半導体
最高使用可能温度:
+ 175 C
最低の実用温度:
- 65 C
回復時間:
35 ns
Ir - 逆電流:
5uA
最高のサージ電流:
100 A
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
超高速MURS320T3G Mosfet力トランジスター整流器200V 3A
特徴
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J−Bendの鉛が付いている小さい密集した表面の取付け可能なパッケージ
-
自動化された処理のための長方形のパッケージ
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高温ガラス不動態化された接続点
-
低い前方電圧低下（0.71から1.05 V最高の@ 1.0 A、TJ = 150°C）
-
自動車および他の適用のためのNRVUSおよびSURS8接頭辞
独特な場所および制御変化の条件の要求;
AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、
-
これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR RoHSである
迎合的
機械特徴:
-
場合:エポキシ、形成される
-
重量:95 mg （およそ）
-
終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableである
-
はんだ付けする目的のための鉛および取付けの表面温度:
-
極性:極性バンドは陰極の鉛を示す
-
ESDの評価:
* HumanBodyModel=3B （>8kV）
* MachineModel=C （>400V）
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