超高速MURS120T3G Mosfet力トランジスター整流器200V 1A
メーカー:
製造者
記述:
ダイオードGEN PURP 200V 1A SMB
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Contact us
支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
製造業者のキット:
半導体
様式の取付け:
SMD/SMT
パッケージ/場合:
SMB-2
Vr - 逆電圧:
200ボルト
-前方流れ:
2 A
タイプ:
速い回復整流器
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
超高速MURS120T3G Mosfet力トランジスター整流器200V 1A
特徴
-
J−Bendの鉛が付いている小さい密集した表面の取付け可能なパッケージ
-
自動化された処理のための長方形のパッケージ
-
高温ガラス不動態化された接続点
-
低い前方電圧低下（0.71から1.05 V最高の@ 1.0 A、TJ = 150°C）
-
独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のためのNRVUSおよびSURS8接頭辞;AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、
-
これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである
機械特徴:
-
場合:エポキシ、形成される
-
重量:95 mg （およそ）
-
終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableである
-
はんだ付けする目的のための鉛および取付けの表面温度:最高260°C。10秒のため
-
極性:極性バンドは陰極の鉛を示す
-
ESDの評価:
* HumanBodyModel=3B （>8kV） * MachineModel=C （>400V）
-
最高の評価
|
評価 |
記号 |
MURS/SURS8/NRVUS |
単位 |
|||||
|
105T3 |
110T3 |
115T3 |
120T3 |
140T3 |
160T3 |
|||
|
ピーク逆電圧DCの妨害電圧を働かせるピーク反復的な逆電圧 |
VRRM VRWM VR |
50 |
100 |
150 |
200 |
400 |
600 |
V |
|
平均によって調整される前方流れ |
（AV） |
1.0 @ TL = 155°C 2.0 @ TL = 145°C |
1.0 @ TL = 150°C 2.0 @ TL = 125°C |
|
||||
|
Non−Repetitiveのピークのサージ電流、（定格負荷の状態の半波、単一フェーズ、60のHzに加えられるサージ） |
IFSM |
40 |
35 |
|
||||
|
作動の接合部温度 |
TJ |
+175への*65 |
°C |
|||||
関連製品
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBFの新しく、元の在庫
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 新しい原産物
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
Contact us