MMSZ5241BT1G Mosfet力トランジスター ツェナー ダイオード11V 500mW
メーカー:
製造者
記述:
ダイオードZENER 11V 500MW SOD123
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
製造業者のキット:
半導体
様式の取付け:
SMD/SMT
パッケージ/場合:
SOD-123-2
Pd -電力損失:
500 MW
電圧許容:
5%
Zenerの流れ:
2つのuA
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
MMSZ5241BT1G Mosfet力トランジスター ツェナー ダイオード11V 500mW
特徴
•FR−4かFR−5板の500 MWの評価
•広いZenerの逆電圧範囲の− 2.4 Vから110ボルトの@上昇温暖気流
Equilibrium*
•最適の自動化された板アセンブリのために設計されているパッケージ
•高密度適用のための小型パッケージのサイズ
•一般目的の、中型の流れ
•人体モデルごとのクラス3 （> 16のkV）のESDの評価
•独特な自動車および他の適用要求のためのSZの接頭辞
場所および制御変化の条件;AEC−Q101は修飾した
可能なPPAP
•これらはPb−Free Devices*である
最高の評価
|
評価 |
記号 |
最高 |
単位 |
|
FR−5板の全体の電力損失、（ノート1） @ TL = 75°C |
PD |
500 6.7 |
MW mW/°C |
|
熱抵抗、Junction−to−Ambient （ノート2） |
RqJA |
340 |
°C/W |
|
熱抵抗、Junction−to−Lead （ノート2） |
RqJL |
150 |
°C/W |
|
接続点および保管温度の範囲 |
TJ、Tstg |
+150への−55 |
°C |
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