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様式Mosfet力トランジスター30 V 8-VSONPを取付けるCSD17578Q3A

メーカー:
製造者
記述:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Contact us
支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
チャネル モード:
強化
構成:
単一
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
様式の取付け:
様式の取付け
技術:
Si
ハイライト:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

導入

CSD17578Q3A Mosfet力トランジスターMOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP

1特徴

  • 低いQgおよびQgd
  • 低いRDS ()

  • 低い熱抵抗

  • 評価されるなだれ

  • Pbなし

  • 迎合的なRoHS

  • 自由なハロゲン

  • 息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ

2つの適用

  • ポイントの負荷ネットワーキング、電気通信および計算機システムの適用のための同期木びき台のコンバーター

  • 制御FETの塗布のために最大限に活用される

3記述

この30のVの6.3 mΩ、息子は3.3 mmの× 3.3 mm NexFETTM力MOSFET力転換の適用の損失を最小にするように設計されている。

プロダクト概要

TA = 25°C 典型的な価値 単位
VDS 下水管に源の電圧 30 V
Qg ゲート充満合計(V) 4.5 7.9 NC
Qgd 流出するべきゲート充満ゲート 1.7 NC
RDS () 下水管に源のオン抵抗 VGS = 4.5ボルト 8.2
VGS =10V 6.3
VGS (Th) 境界の電圧 1.5 V


発注情報

装置

媒体

QTY

パッケージ

CSD17578Q3A

13インチの巻き枠

2500

息子3.3 x 3.3 mmのプラスチック パッケージ

テープおよび巻き枠

CSD17578Q3AT

7インチの巻き枠

250

絶対最高評価

TA = 25°C

価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

30

V

VGS

ゲートに源の電圧

±20

V

ID

連続的な下水管の流れ(限られるパッケージ)

20

連続的な下水管の流れ(限られるケイ素)、TC = 25°C

54

連続的な下水管の流れ(1)

14

IDM

脈打った下水管の流れ(2)

142

PD

電力損失(1)

2.5

W

電力損失、TC = 25°C

37

TJ、Tstg

作動の接合部温度、保管温度

– 55から150

°C

EAS

なだれエネルギー、単一の脈拍ID =22A、L=0.1mH、RG =25Ω

24

mJ

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