FDMS6681Z PチャネルMosfetの運転者回路、力のスイッチング・トランジスタPowerTrench
メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 30 V 21.1A （Ta）、49A （Tc） 2.5W （Ta）、73W （Tc）表面の台紙8-PQFN （5x6）
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
単位重量:
0.002402 oz
製品タイプ:
MOSFET
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
Pd -電力損失:
2.5 W
包装:
テープを切りなさい
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
FDMS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET -30VのP-Channel PowerTrench
特徴
- 最高rDSの（） = 3.2 mΩのVGS = -10ボルト、ID = -21.1 A
- MaxrDS （） =5.0mΩatVGS =-4.5V、ID =-15.7A
-
低いrDSのための高度のパッケージおよびケイ素の組合せ（）
-
典型的な8kVのHBM ESDの保護レベル（ノート3）
-
MSL1強いパッケージ・デザイン
-
迎合的なRoHS
概説
FDMS6681Zは負荷スイッチ塗布の損失を最小にするように設計されていた。ケイ素およびパッケージの両方技術の進歩は最も低いrDS （）およびESDの保護を提供するために結合された。
適用
- ノートおよびサーバーの負荷スイッチ
- ノート電池のパック力管理
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