FDT3612高圧Mosfet力トランジスターNCh PowerTrench単一構成
指定
単位重量:
0.003951 oz
製品タイプ:
MOSFET
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
構成:
単一
チャネル モード:
強化
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
FDT3612 Mosfet力トランジスターMOSFET 100V NCh PowerTrench
概説
このN-Channel MOSFETは同期か慣習的な切換えPWMのコントローラーを使用してDC/DCのコンバーターの全体的効率を改善するようにとりわけ設計されていた。
これらのMOSFETsは対等なRDSの()指定を含む他のMOSFETsより速い切換えそして低いゲート充満を特色にする。結果はより高い全体的効率の運転しが易く、安全(メートル波で)の、およびDC/DCの電源の設計であるMOSFET。
適用
•DC/DCconverter
•Motordriving
特徴
- 3.7A、100V。RDS () =120MΩ@VGS =10V RDS () =130MΩ@VGS =6V
- Fastswitchingspeed
- Lowgatecharge (14nCtyp)
- Highperformancetrenchtechnologyforextremely低いRDS ()
- 広く利用された表面の台紙のパッケージの高い発電そして現在の処理の機能
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