FDS6681Zの高い発電P Mosfetスイッチ回路、PチャネルMosfetの運転者回路
メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 30 V 20A （Ta）の2.5W （Ta）表面の台紙8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
単位重量:
0.004586 oz
製品タイプ:
MOSFET
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
チャネルの数:
1つのチャネル
トランジスター極性:
P-Channel
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
FDS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET 30VのP-ChannelのPowerTrench MOSFET
概説の特徴
このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った高度のPowerTrench®プロセスを使用して作り出される。
この装置はノート パソコンおよび携帯用電池のパックで共通力管理および負荷転換の塗布のためにうってつけである。
特徴
•電池の塗布のための延長VGSSの範囲（– 25V）
•典型的な8kVのHBM ESDの保護レベル（ノート3）•非常にのための高性能の堀の技術
低いRDS （）
•高い発電および現在の処理の機能
•TerminationisLead-freeandRoHSCompliant
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