FDPF045N10A 100V Mosfet力トランジスターNチャネルの速い切り替え速度の低いゲート充満
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 100 V 67A （穴TO-220F-3を通したTc） 43W （Tc）
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
単位重量:
0.080072 oz
製品タイプ:
MOSFET
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 175 C
Rdsのオン下水管源の抵抗:
4.5のmOhms
ID -連続的な下水管の流れ:
67 A
ハイライト:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
FDPF045N10A Mosfet力トランジスターMOSFET 100VのN-ChannelのPowerTrench MOSFET
特徴
-
RDS （） =3.7mΩ （タイプ。） @VGS =10V、ID =67A
-
速い切り替え速度
-
低いゲート充満、QG = 57 NC （タイプ。）
-
極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
-
高い発電および現在の処理の機能
-
迎合的なRoHS
記述
このN-Channel MOSFETはフェアチャイルドSemiconductor®オン州の抵抗を最小にするために合った先発のPowerTrench®プロセスを使用してingの優秀な転換の性能を維持する間、作り出される。
適用
-
ATX/サーバー/電気通信PSUのための同期改正
-
モーター ドライブおよび無停電電源装置
-
マイクロ太陽インバーター
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