FDMS86181 NチャネルMosfetのトランジスター、Mosfetモーター運転者回路はゲートを保護した
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 100 V 44A （Ta）、124A （Tc） 2.5W （Ta）、125W （Tc）表面の台紙8-PQFN （5x6）
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
単位重量:
0.003175 oz
製品タイプ:
MOSFET
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
チャネル モード:
強化
構成:
単一
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
FDMS86181 Mosfet力トランジスターMOSFET 100V/20V N-Chnl力の堀MOSFET
特徴
- 保護されたゲートMOSFETの技術
- MaxrDS （） =4.2mΩat VGS =10V、ID =44A
- MaxrDS （） =12mΩat VGS =6V、ID =22A
- 加えなさい
- 50%
- 他のMOSFETの製造者より低いQrrは切換えnoise/EMIを下げる
- MSL1強いパッケージ・デザイン
- 100% UILはテストした
- 迎合的なRoHS
概説
このN-Channel MV MOSFETはフェアチャイルドの半導体の保護されたゲートの技術を組み込む高度のPowerTrenchの®プロセスを使用して作り出される。このプロセスはオン州の抵抗を最小にするために今までのところではクラス柔らかいボディ ダイオードのベストの優秀な転換の性能を維持するために最大限に活用された。
適用
- 第一次DC-DC MOSFET
- DC-DCおよびAC-DCモーターの同期整流器ドライブ
- 太陽
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