FDV301NデジタルMosfet力トランジスターN CHオン・セミコンダクター連続的な25ボルト0.22 A
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 25 V 220mA （Ta）の350mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
単位重量:
0.001093オンス
製品タイプ:
MOSFET
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
製造業者:
半導体
製品カテゴリ:
MOSFET
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
FDV301N Mosfet力トランジスターMOSFET N CHデジタル
特徴
- A連続的な25ボルト、0.22 0.5 Aのピーク。RDS （） =5Ω@VGS=2.7V
- RDS （） = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
- 直接まさに低レベルにゲート ドライブ条件の割り当てること
- 3V回路の操作。VGS （Th） < 1="">
- ESDの険しさのためのゲート源Zener。>6kVの人体モデル
- 1つのDMOS FETによって多数NPNのデジタル トランジスターを取り替えなさい。
概説
このN-Channelの論理のレベルの強化モード電界効果トランジスタは、高い細胞密度専有、フェアチャイルドDMOSの技術を使用して作り出される。この非常に高密度プロセスは特にオン州の抵抗を最小にするために合う。この装置はデジタル トランジスターのための取り替えとして低電圧の適用のために特に設計されていた。バイアス抵抗器が要求されないので、この1つのN-channel FETは異なったバイアス抵抗器の価値と複数の異なったデジタル トランジスターを、取り替えることができる。
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