トランジスター100V N-Channel PowerTrenchを使用してFDMS3662 Mosfetの運転者回路
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 100 V 8.9A （Ta）、49A （Tc） 2.5W （Ta）、104W （Tc）表面の台紙8-PQFN （5x6）
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
単位重量:
0.002402 oz
製品タイプ:
MOSFET
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 155 C
Rdsのオン下水管源の抵抗:
14.8のmOhms
Vgs -ゲート源の電圧:
20ボルト
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
FDMS3662 Mosfet力トランジスターMOSFET 100VのN-Channel PowerTrench
特徴
- 最高rDS （） = 14.8mΩのVGS = 10V、ID = 8.9A
- 低いrDSのための高度のパッケージおよびケイ素の組合せ（）
- MSL1強いパッケージ・デザイン
- テストされる100% UIL
- 迎合的なRoHS
概説
このN-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度力の堀の®プロセスを使用して。
適用
- DC - DCの転換
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