CSD87350Q5D二重構成Mosfet力トランジスターSynchの木びき台のNexFET力ブロック
メーカー:
製造者
記述:
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
チャネル モード:
強化
構成:
二重
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
CSD87350Q5D Mosfet力トランジスターMOSFET Synchの木びき台のNexFET力ブロック
1特徴
- 半橋力ブロック
-
25 Aの90%のシステム効率
-
40-A操作まで
-
高周波操作（1.5までMHz）
-
高密度息子5 mmの× 6 mmの足跡
-
5-Vゲート ドライブのために最大限に活用される
-
低切換えの損失
-
超低インダクタンス パッケージ
-
迎合的なRoHS
-
自由なハロゲン
-
無鉛末端のめっき
2つの適用
-
同期木びき台のコンバーター
-
–高周波適用
-
– High-Current、低義務周期の塗布
-
-
多相同期木びき台のコンバーター
-
ポールDC-DCのコンバーター
-
IMVP、VRMおよびVRDの適用
3記述
CSD87350Q5D NexFETTM力ブロックは小さい5 mm × 6 mmの輪郭の同期木びき台の塗布の提供のhigh-current、高性能の、および高周波機能のための最大限に活用された設計である。5-Vゲート ドライブ塗布のために最大限に活用されて、このプロダクトは外的なコントローラーまたは運転者からのあらゆる5-Vゲート ドライブと組み合わせられたとき高密度電源を提供することができる適用範囲が広い解決を提供する。
装置情報
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装置 |
媒体 |
QTY |
パッケージ |
船 |
|
CSD87350Q5D |
13インチの巻き枠 |
2500 |
息子5 mmの× 6 mmのプラスチック パッケージ |
テープおよび巻き枠 |
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