CSD87312Q3E 2チャネルMosfet力トランジスター二重30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
メーカー:
製造者
記述:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
チャネル モード:
強化
構成:
二重
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 125 C
トランジスター極性:
N-Channel
チャネルの数:
2チャネル
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
CSD87312Q3E Mosfet力トランジスターMOSFET二重30V N-CH NexFET PwrのMOSFETs
特徴
- CommonSourceConnのection
- Ultrオン抵抗を流出させるL o wの下水管
- スペース節約の息子3.3 x 3.3mmのプラスチック パッケージ
- 5Vゲート ドライブのために最大限に活用される
- 低い熱抵抗
- 評価されるなだれ
- Pbの自由な末端のめっき
- 迎合的なRoHS
- ハロゲン自由な塗布
適用
- Adaptor/USBはノートのための保護を入れた
- PCおよびタブレット
プロダクト概要
|
TA = 25°C |
典型的な価値 |
単位 |
||
|
VDS |
源の電圧に流出させなさい |
30 |
V |
|
|
Qg |
ゲート充満合計（4.5V） |
6.3 |
NC |
|
|
Qgd |
流出するべきゲート充満ゲート |
0.7 |
NC |
|
|
RDD （） |
流出させなさい抵抗（Q1+Q2）で流出するために |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 8V |
27 |
mΩ |
||
|
VGS （Th） |
境界の電圧 |
1.0 |
V |
|
発注情報
|
装置 |
パッケージ |
媒体
|
Qty |
船 |
|
CSD87312Q3E |
息子3.3 x 3.3mmのプラスチック パッケージ |
CHの巻き枠13 |
2500 |
テープおよび巻き枠 |
絶対最高評価
|
TA = 25°C |
価値 |
単位 |
|
|
VDS |
源の電圧に流出させなさい |
30 |
V |
|
VGS |
源の電圧へのゲート |
+10/-8 |
V |
|
ID |
（1）連続的な下水管の流れ、TC = 25°C |
27 |
|
|
IDM |
脈打った下水管の流れ （2） |
45 |
|
|
PD |
電力損失 |
2.5 |
W |
|
TJ、TSTG |
作動の接続点および保管温度の範囲 |
– 55から150 |
°C |
|
EAS |
なだれエネルギー、単一の脈拍ID =24A、L=0.1mH、RG =25Ω |
29 |
mJ |
記述
CSD87312Q3Eは30V共通源、adaptor/USBの入力保護のために設計されている二重N-channel装置である。この息子は3.3 x 3.3mm装置損失を最小にし、スペースによって強いられる複数の細胞のバッテリーの充電の適用のための低い構成計算を提供するオン抵抗を流出させる低い下水管を持っている。
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