CSD25402Q3A 650 MV力Mosfetの運転者回路、高い発電Mosfetのトランジスター
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
CSD25402Q3A Mosfet力トランジスターMOSFET P-CH Pwr MOSFET
1特徴
- 超低いQgおよびQgd
-
低い熱抵抗
-
低いRDS ()
-
自由なPbおよびハロゲン
-
迎合的なRoHS
-
息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ
2つの適用
-
DC-DCのコンバーター
-
電池管理
-
負荷スイッチ
-
電池の保護
3記述
この息子との力転換の負荷管理塗布の損失を×最小にするように– 20-V、7.7-mΩ NexFETTM力MOSFETは3.3 mmの装置のサイズのための優秀な熱性能を提供する3.3 mmのパッケージ設計されている。
プロダクト概要
TA = 25°C |
典型的な価値 |
単位 |
||
VDS |
下水管に源の電圧 |
– 20 |
V |
|
Qg |
ゲート充満合計(– 4.5 V) |
7.5 |
NC |
|
Qgd |
流出するべきゲート充満ゲート |
1.1 |
NC |
|
RDS () |
抵抗の下水管に源 |
VGS = – 1.8ボルト |
74 |
mΩ |
VGS = – 2.5ボルト |
13.3 |
mΩ |
||
VGS = – 4.5ボルト |
7.7 |
mΩ |
||
Vth |
境界の電圧 |
– 0.9 |
V |
発注情報(1)
装置 |
QTY |
媒体 |
パッケージ |
船 |
CSD25402Q3A |
2500 |
13インチの巻き枠 |
息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ |
テープおよび巻き枠 |
CSD25402Q3AT |
250 |
7インチの巻き枠 |
絶対最高評価
TA = 25°C |
価値 |
単位 |
|
VDS |
下水管に源の電圧 |
– 20 |
V |
VGS |
ゲートに源の電圧 |
+12または– 12 |
V |
ID |
連続的な下水管の流れ、TC = 25°C |
– 76 |
|
連続的な下水管の流れ(パッケージの限界) |
– 35 |
|
|
連続的な下水管の流れ(1) |
– 15 |
|
|
IDM |
脈打った下水管の流れ(2) |
– 148 |
|
PD |
電力損失(1) |
2.8 |
W |
電力損失、TC = 25°C |
69 |
||
TJ |
作動の接合部温度 |
– 55から150 |
°C |
Tstg |
保管温度 |
– 55から150 |
°C |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
||
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
||
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
||
IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
||
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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