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CSD25402Q3A 650 MV力Mosfetの運転者回路、高い発電Mosfetのトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Contact us
支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
チャネル モード:
強化
構成:
単一
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 125 C
VgsのTh -ゲート源の境界Voltag:
650 mV
Rdsのオン下水管源の抵抗:
8.9のmOhms
ハイライト:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

導入

CSD25402Q3A Mosfet力トランジスターMOSFET P-CH Pwr MOSFET


1特徴

  • 超低いQgおよびQgd
  • 低い熱抵抗

  • 低いRDS ()

  • 自由なPbおよびハロゲン

  • 迎合的なRoHS

  • 息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ

2つの適用

  • DC-DCのコンバーター

  • 電池管理

  • 負荷スイッチ

  • 電池の保護

3記述

この息子との力転換の負荷管理塗布の損失を×最小にするように– 20-V、7.7-mΩ NexFETTM力MOSFETは3.3 mmの装置のサイズのための優秀な熱性能を提供する3.3 mmのパッケージ設計されている。

プロダクト概要

TA = 25°C

典型的な価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

– 20

V

Qg

ゲート充満合計(– 4.5 V)

7.5

NC

Qgd

流出するべきゲート充満ゲート

1.1

NC

RDS ()

抵抗の下水管に源

VGS = – 1.8ボルト

74

VGS = – 2.5ボルト

13.3

VGS = – 4.5ボルト

7.7

Vth

境界の電圧

– 0.9

V

発注情報(1)

装置

QTY

媒体

パッケージ

CSD25402Q3A

2500

13インチの巻き枠

息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ

テープおよび巻き枠

CSD25402Q3AT

250

7インチの巻き枠

絶対最高評価

TA = 25°C

価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

– 20

V

VGS

ゲートに源の電圧

+12または– 12

V

ID

連続的な下水管の流れ、TC = 25°C

– 76

連続的な下水管の流れ(パッケージの限界)

– 35

連続的な下水管の流れ(1)

– 15

IDM

脈打った下水管の流れ(2)

– 148

PD

電力損失(1)

2.8

W

電力損失、TC = 25°C

69

TJ

作動の接合部温度

– 55から150

°C

Tstg

保管温度

– 55から150

°C

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