CSD18540Q5B RF力Mosfetのトランジスター、NチャネルMosfet回路のNexFET Pwr MOSFET
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
CSD18540Q5B Mosfet力トランジスターMOSFET 60V、N-channelのNexFET Pwr MOSFET
1特徴
- 超低いQgおよびQgd
-
低熱抵抗
-
評価されるなだれ
-
無鉛末端のめっき
-
迎合的なRoHS
-
自由なハロゲン
-
息子5 mmの× 6 mmのプラスチック パッケージ
2つの適用
-
DC-DCの転換
-
二次側面の同期整流器
-
隔離されたコンバーター第一次側面スイッチ
-
運動制御
3記述
この1.8-mΩ、60-V NexFETTM力MOSFETは息子5 mmの× 6 mmのパッケージとの力転換の適用の損失を最小にするように設計されている。
プロダクト概要
TA = 25°C |
典型的な価値 |
単位 |
||
VDS |
下水管に源の電圧 |
60 |
V |
|
Qg |
ゲート充満合計(V) 10 |
41 |
NC |
|
Qgd |
ゲート充満ゲートに下水管 |
6.7 |
NC |
|
RDS () |
抵抗の下水管に源 |
VGS = 4.5ボルト |
2.6 |
mΩ |
VGS =10V |
1.8 |
|||
VGS (Th) |
境界の電圧 |
1.9 |
V |
装置情報
装置 |
QTY |
媒体 |
パッケージ |
船 |
CSD18540Q5B |
2500 |
13インチの巻き枠 |
息子5.00 mmの× 6.00 mmのプラスチック パッケージ |
テープおよび巻き枠 |
CSD18540Q5BT |
250 |
7インチの巻き枠 |
絶対最高評価
TA = 25°C |
価値 |
単位 |
|
VDS |
下水管に源の電圧 |
60 |
V |
VGS |
ゲートに源の電圧 |
±20 |
V |
ID |
連続的な下水管の流れ(限られるパッケージ) |
100 |
|
連続的な下水管の流れ(限られるケイ素)、TC = 25°C |
205 |
||
連続的な下水管の流れ(1) |
29 |
||
IDM |
脈打った下水管の流れ、TA = 25°C (2) |
400 |
|
PD |
電力損失(1) |
3.8 |
W |
電力損失、TC = 25°C |
188 |
||
TJ、Tstg |
作動の接続点、保管温度 |
– 55から175 |
°C |
EAS |
なだれエネルギー、単一の脈拍ID =80A、L=0.1mH、RG =25Ω |
320 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
||
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
||
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
||
IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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