CSD18534Q5Aの論理のレベルMosfet力トランジスターMOSFET 60V N CH NexFET Pwr MOSFET
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
CSD18534Q5A Mosfet力トランジスターMOSFET 60V N CH NexFET Pwr MOSFET
1特徴
- 超低いQgおよびQgd
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低い熱抵抗
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評価されるなだれ
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論理のレベル
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Pbの自由な末端のめっき
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迎合的なRoHS
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自由なハロゲン
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息子× 5つのmmの6つのmmのプラスチック パッケージ
2つの適用
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DC-DCの転換
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二次側面の同期整流器
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隔離されたコンバーター第一次側面スイッチ
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運動制御
3記述
この7.8のmΩ、60ボルト、息子5の× 6 mm NexFETTM力MOSFETは力転換の適用の損失を最小にするように設計されている。
プロダクト概要
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TA = 25°C |
典型的な価値 |
単位 |
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VDS |
下水管に源の電圧 |
60 |
V |
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Qg |
ゲート充満合計（V） 10 |
17 |
NC |
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Qgd |
ゲート充満ゲートに下水管 |
3.5 |
NC |
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RDS （） |
下水管に源のオン抵抗 |
VGS = 4.5ボルト |
9.9 |
mΩ |
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VGS =10V |
7.8 |
mΩ |
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VGS （Th） |
境界の電圧 |
1.9 |
V |
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発注情報
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装置 |
QTY |
媒体 |
パッケージ |
船 |
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CSD18534Q5A |
2500 |
13インチの巻き枠 |
息子× 5つのmmの6つのmmのプラスチック パッケージ |
テープおよび巻き枠 |
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CSD18534Q5AT |
250 |
7インチの巻き枠 |
絶対最高評価
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TA = 25°C |
価値 |
単位 |
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VDS |
下水管に源の電圧 |
60 |
V |
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VGS |
ゲートに源の電圧 |
±20 |
V |
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ID |
連続的な下水管の流れ（限られるパッケージ） |
50 |
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連続的な下水管の流れ（限られるケイ素）、TC = 25°C |
69 |
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連続的な下水管の流れ、TA = 25°C （1） |
13 |
||
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IDM |
脈打った下水管の流れ、TA = 25°C （2） |
229 |
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PD |
電力損失（1） |
3.1 |
W |
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電力損失、TC = 25°C |
77 |
||
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TJ、Tstg |
作動の接続点、保管温度 |
– 55から150 |
°C |
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EAS |
なだれエネルギー、単一の脈拍ID =40A、L=0.1mH、RG =25Ω |
80 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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