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CSD13381F4低い抵抗Mosfet力トランジスターN-CH Pwr単一構成

メーカー:
製造者
記述:
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Contact us
支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
チャネル モード:
強化
構成:
単一
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
製品カテゴリ:
MOSFET
製造業者:
テキサス・インスツルメント
ハイライト:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

導入

CSD13381F4 Mosfet力トランジスターMOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET

1特徴

  • 低いオン抵抗
  • 低いQgおよびQgd

  • 低い境界の電圧

  • Ultra-Small足跡(0402の場合のサイズ)

    – 1.0mm×0.6mm

  • 超低いプロフィール

–高さ0.35 mmの

  • 統合されたESDの保護ダイオード

    • –評価される>4 kV HBM

    • –評価される>2 kV CDM

  • 自由な鉛およびハロゲン

  • 迎合的なRoHS

2つの適用

  • 負荷スイッチ塗布のために最大限に活用される

  • 一般目的の転換の適用のために最大限に活用される

  • 単一セル電池の塗布

  • 手持ち型および移動式適用

3記述

この140のmΩは、12ボルトのN-channelのFemtoFETTM MOSFETの技術多くの手持ち型および移動式適用の足跡を最小にするように設計され、最大限に活用される。この技術は足跡サイズの少なくとも60%の減少を提供している間標準的な小さい信号のMOSFETsを取り替えることができる。

プロダクト概要

TA = 25°C

典型的な価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

12

V

Qg

ゲート充満合計(V) 4.5

1060

PC

Qgd

ゲート充満ゲートに下水管

140

PC

RDS ()

下水管に源のオン抵抗

VGS = 1.8ボルト

310

VGS = 2.5ボルト

170

VGS = 4.5ボルト

140

VGS (Th)

境界の電圧

0.85

V

発注情報

装置

Qty

媒体

パッケージ

CSD13381F4

3000

7インチの巻き枠

Femto (0402の) 1.0 mm Xより少なく0.6 mmのSMDの鉛

テープおよび巻き枠

CSD13381F4T

250

絶対最高評価

TA = 25°C特に明記しない限り

価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

12

V

VGS

ゲートに源の電圧

8

V

ID

連続的な下水管の流れ、TA = 25°C (1)

2.1

IDM

脈打った下水管の流れ、TA = 25°C (2)

7

IG

連続的なゲート クランプ流れ

35

mA

脈打ったゲート クランプ流れ(2)

350

PD

電力損失(1)

500

MW

ESDの評価

人体モデル(HBM)

4

kV

満たされた装置モデル(CDM)

2

kV

TJ、Tstg

作動の接続点および保管温度の範囲

– 55から150

°C

EAS

なだれエネルギー、単一の脈拍ID = 7.4 A、L=0.1mH、RG =25Ω

2.7

mJ

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