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BAS516,115 75V 250MA HS Mosfet力トランジスター ダイオード一般目的力の切換えSW

メーカー:
製造者
記述:
ダイオード、切換え、250MA、75V、そう
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Contact us
支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
包装:
テープを切りなさい
ブランド:
Nexperia
製品タイプ:
ダイオード-一般目的、力、切換え
下位範疇:
ダイオード及び整流器
Ir - 逆電流:
1つのuA
Vf -前方電圧:
1.25V
ハイライト:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

導入

BAS516,115 Mosfet力トランジスター ダイオード-一般目的、力、切換えSW 75V 250MA HS

特徴および利点

の高い切り替え速度:trrの4 ns

現在のの低い漏出

の反復的なピーク逆電圧:

VRRMの100ボルト

AEC-Q101は修飾した

適用

の高速切換え
の一般目的の切換え

発注情報

タイプ数

パッケージ

名前

記述

BAS16

TO-236AB

プラスチック表面取付けられたパッケージ;3つの鉛

SOT23

BAS16H

-

プラスチック表面取付けられたパッケージ;2つの鉛

SOD123F

BAS16J

SC-90

プラスチック表面取付けられたパッケージ;2つの鉛

SOD323F

BAS16L

DFN1006-2

無鉛の超小さいプラスチック パッケージ;2台のターミナル;ボディ1.00.60.5 mm

SOD882

BAS16T

SC-75

プラスチック表面取付けられたパッケージ;3つの鉛

SOT416

BAS16VV

-

プラスチック表面取付けられたパッケージ;6つの鉛

SOT666

BAS16VY

SC-88

プラスチック表面取付けられたパッケージ;6つの鉛

SOT363

BAS16W

SC-70

プラスチック表面取付けられたパッケージ;3つの鉛

SOT323

BAS316

SC-76

プラスチック表面取付けられたパッケージ;2つの鉛

SOD323

BAS516

SC-79

プラスチック表面取付けられたパッケージ;2つの鉛

SOD523

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