2N7002LT1G NチャネルMosfetのトランジスター、115mA Mosの電界効果トランジスタ
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 60 V 115mA （Tc）の225mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
製品タイプ:
MOSFET
下位範疇:
MOSFETs
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
Rdsのオン下水管源の抵抗:
7.5オーム
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧:
1V
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
導入
2N7002LT1G Mosfet力トランジスターMOSFET 60V 115mAのN-Channel
特徴
•独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のための2V接頭辞;AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、（2V7002L）
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである
最高の評価
|
評価 |
記号 |
価値 |
単位 |
|
Drain−Sourceの電圧 |
VDSS |
60 |
Vdc |
|
Drain−Gateの電圧（RGS = 1.0 MW） |
VDGR |
60 |
Vdc |
|
現在を流出させなさい |
ID ID IDM |
± 115の± 75の± 800 |
mAdc |
|
Gate−Sourceの電圧 |
VGS VGSM |
± 20の± 40 |
Vdc Vpk |
熱特徴
|
特徴 |
記号 |
最高 |
単位 |
|
総装置消滅FR−5板（ノート3） TA = 25°C 熱抵抗、Junction−to−Ambient |
PD RqJA |
225 1.8 556 |
MW mW/°C °C/W |
|
総装置消滅 熱抵抗、Junction−to−Ambient |
PD RqJA |
300 2.4 417 |
MW mW/°C °C/W |
|
接続点および保管温度 |
TJ、Tstg |
− 55に+150 |
°C |
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