BSZ100N06LS3G 50 W Mosfetの電源スイッチ回路、Mosfetの制御回路TSDSON-8 OptiMOS 3
メーカー:
製造者
記述:
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
構成:
単一
Pd -電力損失:
50W
最低の実用温度:
- 55 C
最高使用可能温度:
+ 150 C
製造業者:
Infineon
製品カテゴリ:
MOSFET
ハイライト:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
導入
BSZ100N06LS3G Mosfet力トランジスターMOSFET N CH 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
特徴
- 高周波切換えおよび同時性のための理想。rec.
- DC/DCのコンバーターのための最大限に活用された技術
- N-channel、論理のレベル
- 100%のなだれはテストした
- Pbなしのめっき;迎合的なRoHS
- ターゲット塗布のためにJEDECに従って修飾される
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