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現在の保護上のNSR02100HT1Gのイーサネット スイッチIC電力配分

メーカー:
製造者
記述:
ダイオード100 V 200mAの表面の台紙SOD-323
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
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支払方法:
Paypal、ウェスタンユニオン、TT
指定
Vrrm - 繰り返し逆電圧:
100ボルト
Vf -前方電圧:
950 mV
Ifsm - 順方向サージ電流:
2 A
構成:
単一
技術:
Si
Ir - 逆電流:
150 nA
ハイライト:

ethernet transceiver ic

,

fast ethernet switch chip

導入

現在の保護上のNSR02100HT1Gのイーサネット スイッチIC電力配分

特徴

•速い切り替え速度
•低い漏出流れ
•低い前方電圧− 0.45 V @ = 1つのmAdc
•表面の台紙装置
•低いキャパシタンス ダイオード
•自動車および他の適用要求のためのNSVRの接頭辞

独特な場所および制御変化の条件;AEC−Q101

可能な修飾され、PPAP
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

示す図表

特徴

記号

価値

単位

総装置消滅FR−5板、(ノート1)

TA = 25°C
25°Cの上で軽減しなさい

PD

200 1.57

MW mW/°C

前方現在(DC)

200

mA

Non−Repetitiveのピークの前方流れ、TP < 10="" msec="">

IFSM

2

熱抵抗Junction−to−Ambient

RqJA

635

°C/W

接続点および保管温度の範囲

TJ、Tstg

−55 to150

°C

発注情報

装置

パッケージ

出荷の

NSR02100HT1G

SOD−323 (Pb−Free)

3,000/テープ及び巻き枠

NSVR02100HT1G

SOD−323 (Pb−Free)

3,000/テープ及び巻き枠

電気特徴

特徴

記号

タイプ

最高

単位

逆の絶縁破壊電圧(IR = 10 μA)

VR

100

V

逆の漏出(VR = 50 V)

IR

0.05

μAdc

逆の漏出(VR = 100 V)

IR

0.15

mAdc

(= 1つのmAdc)前方電圧

VF

0.45

Vdc

(= 10 mAdc)前方電圧

VF

0.57

Vdc

(= 100 mAdc)前方電圧

VF

0.80

Vdc

(= 200 mAdc)前方電圧

VF

0.95

Vdc

総キャパシタンス
(VR =1.0V、f=1.0MHz)

CT

4

10

pF

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